[发明专利]半导体结构的制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，包括：

接收工件，所述工件包括：

鳍状结构，从基板突出并包括第一通道区及第二通道区；

第一虚设栅极结构，设置于所述第一通道区的上方；

第二虚设栅极结构，设置于所述第二通道区的上方；及

源极/漏极部件，设置于所述第一通道区与所述第二通道区之间；

将所述第一虚设栅极结构的一部分移除，以形成第一沟槽，所述第一沟槽暴露所述第一通道区；

将被所述第一沟槽暴露的所述第一通道区的一部分和直接位于所述第一通道区下方的所述基板的一部分移除，以延伸所述第一沟槽；

在延伸的所述第一沟槽中形成介电部件，其中所述介电部件通过空气间隙与所述源极/漏极部件间隔开；以及

在形成所述介电部件之后，以栅极堆叠取代所述第二虚设栅极结构。