[发明专利]存储器单元结构及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器单元结构，包括：

一第一下拉GAA晶体管、一第二下拉GAA晶体管、一第一传输闸GAA晶体管和一第二传输闸GAA晶体管，具有一共享主动半导体区，其中：

上述共享主动半导体区沿着一第一方向延伸，上述第一下拉GAA晶体管和上述第一传输闸GAA晶体管属于一第一存储器单元，并且上述第二下拉GAA晶体管和上述第二传输闸GAA晶体管属于相邻于上述第一存储器单元的一第二存储器单元；

上述共享主动半导体区具有与上述第一传输闸GAA晶体管和上述第二传输闸GAA晶体管对应的一传输闸主动部分以及与上述第一下拉GAA晶体管和上述第二下拉GAA晶体管对应且与上述传输闸主动部分相邻的一下拉主动部分；

上述第一下拉GAA晶体管和上述第一传输闸GAA晶体管各自具有一第一通道长度，并且上述第二下拉GAA晶体管和上述第二传输闸GAA晶体管各自具有一第二通道长度，其中上述第一通道长度和上述第二通道长度沿着上述第一方向；

上述传输闸主动部分沿着一第二方向具有一第一宽度，并且上述下拉主动部分沿着上述第二方向具有一第二宽度，其中上述第二方向垂直于上述第一方向；

相对于上述第一宽度将上述第二宽度扩大一扩大宽度，以提供上述第一下拉GAA晶体管和上述第二下拉GAA晶体管具有沿着上述第二方向的一第一通道宽度和一第一临界电压，并且提供上述第一传输闸GAA晶体管和上述第二传输闸GAA晶体管具有沿着上述第二方向的一第二通道宽度和一第二临界电压；以及

上述第一通道宽度大于上述第二通道宽度，并且上述第一临界电压小于上述第二临界电压。

2.如权利要求1所述的存储器单元结构，其中：

上述共享主动半导体区的上述下拉主动部分具有一第三宽度的一第一延伸部分和一第四宽度的一第二延伸部分；以及

上述共享主动半导体区的上述下拉主动部分沿着上述第二方向延伸超过上述共享主动半导体区的上述传输闸主动部分的一第一侧壁上述第三宽度，并且沿着上述第二方向延伸超过上述共享主动半导体区的上述传输闸主动部分的一第二侧壁上述第四宽度，其中上述第一宽度在上述传输闸主动部分的上述第一侧壁和上述传输闸主动部分的上述第二侧壁之间，并且上述第二宽度为上述第一宽度、上述第三宽度和上述第四宽度的一总和。

3.如权利要求1所述的存储器单元结构，其中上述共享主动半导体区是一第一主动半导体区，上述存储器单元结构还包括：

一上拉GAA晶体管，具有沿着上述第一方向延伸并且与上述第一主动半导体区直接相邻的一第二主动半导体区，其中上述第一主动半导体区的上述传输闸主动部分和上述第二主动半导体区之间沿着上述第二方向的一第一间距大于上述第一主动半导体区的上述下拉主动部分和上述第二主动半导体区之间沿着上述第二方向的一第二间距。

4.如权利要求1所述的存储器单元结构，其中：

上述共享主动半导体区的上述下拉主动部分包括一第一下拉主动部分和一第二下拉主动部分，其中上述传输闸主动部分设置在上述第一下拉主动部分和上述第二下拉主动部分之间；

上述第一下拉主动部分对应上述第一下拉GAA晶体管，并且上述第二下拉主动部分对应上述第二下拉GAA晶体管；以及

上述第一下拉主动部分和上述第二下拉主动部分具有上述第二宽度。

5.如权利要求1所述的存储器单元结构，其中：

上述共享主动半导体区的上述传输闸主动部分包括一第一传输闸主动部分和一第二传输闸主动部分，其中上述下拉主动部分设置在上述第一传输闸主动部分和上述第二传输闸主动部分之间；

上述第一传输闸主动部分对应上述第一传输闸GAA晶体管，并且上述第二传输闸主动部分对应上述第二传输闸GAA晶体管；以及

上述第一传输闸主动部分和上述第二传输闸主动部分具有上述第一宽度。