[发明专利]半导体结构的制造方法

说明书

一种半导体结构的制造方法，包含在基板的上方形成第一鳍片及第二鳍片。半导体结构的制造方法包含在第一鳍片及第二鳍片的上方形成一或多个功函数层。半导体结构的制造方法包含在一或多个功函数层的上方形成氮化物基金属膜。半导体结构的制造方法包含以可图案化层覆盖第一鳍片。半导体结构的制造方法包含将氮化物基金属膜的第二部分从第二鳍片移除，并在第一鳍片的上方留下实质上完整的氮化物基金属膜的第一部分。

技术领域

本公开实施例涉及半导体装置及半导体装置的制造方法，且特尤其涉及在制造过程中的移除步骤的期间保护半导体装置的各个层的半导体装置的制造方法。

背景技术

随着半导体装置的尺寸的持续缩小，制造过程中的各种移除步骤可能会出现挑战。半导体装置广泛地用于各种电子产品中，并且一般期望改进关于半导体装置的生产和性能。

发明内容

本公开的一个实施例为一种半导体结构的制造方法。半导体结构的制造方法包含以下步骤。在基板的上方形成第一鳍片及第二鳍片。在第一鳍片及第二鳍片的上方形成一或多个功函数层。在一或多个功函数层的上方形成氮化物基金属膜(nitride-based metalfilm)。以可图案化层覆盖第一鳍片。将氮化物基金属膜的第二部分从第二鳍片移除，并在第一鳍片的上方留下实质上完整的氮化物基金属膜的第一部分。

本公开的另一个实施例为一种半导体结构的制造方法。半导体结构的制造方法包含以下步骤。通过分别形成第一栅极沟槽与第二栅极沟槽以暴露第一鳍片的一部分与第二鳍片的一部分。在第一栅极沟槽与第二栅极沟槽的上方形成至少一功函数金属。在第一栅极沟槽与第二栅极沟槽的上方形成氧化物基金属膜(oxide-based metal film)。对氧化物基金属膜进行处理，以在氧化物基金属膜的表面的上方形成氮化物基金属膜。将可图案化层附着到氮化物基金属膜的第一部分。氮化物基金属膜的第二部分与氧化物基金属膜的第二部分从第二栅极沟槽移除，并在第一栅极沟槽的上方留下实质上完整的氮化物基金属膜的第一部分。

本公开的又一个实施例为一种半导体结构的制造方法。半导体结构的制造方法包含以下步骤。通过分别形成第一栅极沟槽与第二栅极沟槽以暴露第一鳍片的一部分与第二鳍片的一部分。在第一栅极沟槽与第二栅极沟槽的上方形成至少一功函数金属。在第一栅极沟槽与第二栅极沟槽的上方形成氮化物基金属膜。将可图案化层附着到氮化物基金属膜的第一部分。将氮化物基金属膜的第二部分从第二栅极沟槽移除，并在第一栅极沟槽的上方留下实质上完整的氮化物基金属膜的第一部分。

附图说明

根据以下的详细说明并配合所附附图做完整公开。应注意的是，根据本产业的一般作业，各种部件并未必按照比例绘制。事实上，可能任意的放大或缩小各种部件的尺寸，以做清楚的说明。

图1A是根据一些实施例示出半导体结构的范例的剖面图。

图1B是根据一些实施例示出半导体结构的其他范例的剖面图。

图2A是根据一些实施例示出制造图1A的范例性半导体结构的范例性工艺的流程图。

图2B～图2D是根据一些实施例示出在图2A的工艺的期间，图1A的范例性半导体结构的多个剖面。

图3A是根据一些实施例示出制造图1B的范例性半导体结构的范例性工艺的流程图。

图3B～图3G是根据一些实施例示出在图3A的工艺的期间，图1B的范例性半导体结构的多个剖面。

附图标记如下：

10,20:工艺

11,12,13,14,21,22,23,24,25,26:操作

100,200:半导体结构

110,210:基板