[发明专利]类晶体管冗余图形添加方法及存储介质

说明书

本发明公开了一种类晶体管冗余图形添加方法，包括：选出类晶体管冗余图形的可添加区域；在可添加区域添加类晶体管冗余图形；拆分定义类晶体管冗余图形单元定义可重复区域和可拉伸区域；根据类晶体管冗余图形单元距离避开区域边界的最小距离判断是否对该类晶体管冗余图形单元进行复制和/或拉伸；沿类晶体管冗余图形第一方向复制可重复的栅区域；和/或，沿类晶体管冗余图形第二方向拉伸可拉伸的栅区域；将无处理的类晶体管冗余图形与部分区域复制拉伸后的类晶体管冗余图形合并。本发明相对现有技术能提高类晶体管冗余图形的添加量，实现更充分冗余图形添加，使得版图分布更加均匀，进而降低工艺制造过程中的制造缺陷，提升产品良率和可靠性。

技术领域

本发明涉及集成电路生产制造领域，特别是涉及一种类晶体管冗余图形添加方法。以及一种执行所述类晶体管冗余图形添加方法中步骤的计算机可读存储介质。

背景技术

集成电路制造过程中，为了提高刻蚀研磨等工艺的可制造性，通常需要在版图设计完成后对图形分布较为稀疏的区域进行冗余图形添加以使版图密度分布更加均匀，进而降低工艺制造过程中的制造缺陷，提升产品良率和可靠性。

随着半导体技术节点的不断发展，特别是28nm及以下，为了提高前段工艺的可靠性，前段冗余图形添加的结构从简单的矩形变成类似晶体管的形状。当版图AA和POLY的结构与周边添加的冗余图形结构相似时，版图整体的均匀性会提高，进而提高相关工艺制造的工艺窗口。

类晶体冗余图形是设计好的组合单元，整个单元的冗余图形一起添加。当可添加区域的尺寸不是类晶体管冗余图形单元尺寸间距和的整数倍时，类晶体管冗余图形的添加量有限，可添加区域无法实现充分的冗余图形添加。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念,该简化形式的概念均为本领域现有技术简化，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明要解决的技术问题是提供一种当可添加区域的尺寸不是类晶体管冗余图形单元尺寸间距和的整数倍时，相对现有技术能提高类晶体管冗余图形的添加量，实现更充分冗余图形添加的类晶体管冗余图形添加方法。

本发明还提供了一种执行所述类晶体管冗余图形添加方法中步骤的计算机可读存储介质。

为解决上述技术问题，本发明提供的类晶体管冗余图形添加方法，包括以下步骤：

S1，选出类晶体管冗余图形的可添加区域；

S2，在可添加区域添加类晶体管冗余图形；

S3，拆分定义类晶体管冗余图形单元定义可重复区域和可拉伸区域；

S4，根据类晶体管冗余图形单元距离避开区域边界的最小距离判断是否对该类晶体管冗余图形单元进行复制和/或拉伸；

S5，沿类晶体管冗余图形第一方向复制可重复的栅区域；

和/或，沿类晶体管冗余图形第二方向拉伸可拉伸的栅区域；

S6，将无处理的类晶体管冗余图形与部分区域复制拉伸后的类晶体管冗余图形合并；

所述类晶体管冗余图形包括：五根并列水平排布的POLY冗余图形和两根竖直并列排布的AA冗余图形；

其中，两根竖直并列排布的AA冗余图形与中间三根POLY冗余图形存在重叠，AA冗余图形和POLY冗余图形重叠的地方为冗余图形栅区域。

可选择的，第一方向是栅长方向，第二方向是栅宽方向，栅长是POLY冗余图形宽度，栅宽是AA冗余图形高度。

可选择的，步骤S1，通过冗余图形相关层次逻辑运算，选择出类晶体管冗余图形的可添加区域；