[发明专利]类晶体管冗余图形添加方法及存储介质在审
申请号: | 202210597555.3 | 申请日: | 2022-05-30 |
公开(公告)号: | CN115081379A | 公开(公告)日: | 2022-09-20 |
发明(设计)人: | 李佳佳;曹云;魏芳 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G06F30/392 | 分类号: | G06F30/392 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 焦天雷 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体管 冗余 图形 添加 方法 存储 介质 | ||
1.一种类晶体管冗余图形添加方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1,选出类晶体管冗余图形的可添加区域;
S2,在可添加区域添加类晶体管冗余图形;
S3,拆分定义类晶体管冗余图形单元定义可重复区域和可拉伸区域;
S4,根据类晶体管冗余图形单元距离避开区域边界的最小距离判断是否对该类晶体管冗余图形单元进行复制和/或拉伸;
S5,沿类晶体管冗余图形第一方向复制可重复的栅区域;
和/或,沿类晶体管冗余图形第二方向拉伸可拉伸的栅区域;
S6,将无处理的类晶体管冗余图形与部分区域复制拉伸后的类晶体管冗余图形合并;
所述类晶体管冗余图形包括:五根并列水平排布的POLY冗余图形和两根竖直并列排布的AA冗余图形;
其中,两根竖直并列排布的AA冗余图形与中间三根POLY冗余图形存在重叠,AA冗余图形和POLY冗余图形重叠的地方为冗余图形栅区域。
2.如权利要求1所述类晶体管冗余图形添加方法,其特征在于:
第一方向是栅长方向,第二方向是栅宽方向,栅长是POLY冗余图形宽度,栅宽是AA冗余图形高度。
3.如权利要求2所述类晶体管冗余图形添加方法,其特征在于:
步骤S1,通过冗余图形相关层次逻辑运算,选择出类晶体管冗余图形的可添加区域。
4.如权利要求3所述类晶体管冗余图形添加方法,其特征在于,步骤S3包括:
沿栅长方向拆分类晶体管冗余图形单元,将其拆分为:
左可重复区域A1:左侧第二根POLY冗余图形左边和左侧第三根POLY冗余图形左边之间区域;
右可重复区域A2:右侧第二根POLY冗余图形右边和右侧第三根POLY冗余图形右边之间区域;
左固定区域A3:左侧第一根POLY冗余图形左边和左侧第二根POLY冗余图形左边之间区域;
中固定区域A4:第三根POLY冗余图形;
右固定区域A5:右侧第一根POLY冗余图形右边和右侧第二根POLY冗余图形右边之间区域;
沿栅宽方向拆分类晶体管冗余图形单元,将其拆分为:
下可拉伸区域B1:位于下边AA冗余图形的上边和下边之间的区域;
上可拉伸区域B2:位于上边AA冗余图形的上边和下边之间的区域;
下固定区域B3:位于下边AA冗余图形的下边和类晶体管冗余图形单元下边之间的区域;
中固定区域B4:两根AA冗余图形之间的区域;
上固定区域B5:位于上边AA冗余图形的上边和类晶体管冗余图形单元上边之间的区域;
其中,左可重复区域A1宽度为W1,右可重复区域A2宽度为W2,下可拉伸区域B1的宽度为W3,上可拉伸区域B2的宽度为W4。
5.如权利要求4所述类晶体管冗余图形添加方法,其特征在于,步骤S4包括:
计算每个类晶体管冗余图形沿栅长方向,左边距避开区域边界的最小距离L和右边距避开区域边界的最小距离R,计算L除以W1取整得到C1,R除以W2取整得到C2;
计算每个类晶体管冗余图形沿栅宽方向,上边距避开区域边界的最小距离T和下边距避开区域边界的最小距离B:
若每个类晶体管冗余图形的可复制属性值C1=0且C2=0,则该类晶体管冗余图形形状位置保持不变;
若每个类晶体管冗余图形的可拉伸属性值T=0且B=0时,该类晶体管冗余图形形状位置保持不变。
6.如权利要求5所述类晶体管冗余图形添加方法,其特征在于,步骤S5包括:
若每个类晶体管冗余图形的可复制属性值C1>0或C2>0时,沿该类晶体管冗余图形的栅长方向复制可重复的栅区域:
类晶体管冗余图形的区域A4固定,区域A1在原本位置基础上再向左复制C1个重复的区域A1,区域A3向左位移C1*W1,区域A2在原本位置基础上再向右复制C2个重复的区域A2,区域A5向右位移C2*W2。
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