[发明专利]半导体存储器件

说明书

一种半导体存储器件，包括：器件隔离图案，在衬底上并限定第一有源部分；在第一有源部分上的第一存储节点焊盘；在衬底中并延伸跨过第一有源部分的字线；在第一存储节点焊盘上并跨越字线的位线；在位线的一侧上并与第一存储节点焊盘相邻的存储节点接触；以及在存储节点接触和第一存储节点焊盘之间的欧姆接触层。欧姆接触层的底表面被圆化。

技术领域

本发明构思涉及半导体存储器件及制造其的方法。

背景技术

半导体器件因其小尺寸、多功能性和/或低制造成本而在电子工业中具有优势。然而，随着电子工业的显著发展，半导体器件正在高度集成。为了高集成度，半导体器件的图案的线宽正在减小。然而，需要新的曝光技术和/或昂贵的曝光技术来形成高度集成的半导体器件的精细图案。因此，最近对新的集成技术进行了各种研究。

发明内容

本发明构思的一些实施方式提供了可靠性提高的半导体存储器件。

本发明构思的一些实施方式提供了一种制造半导体存储器件的方法，该方法能够减少缺陷。

根据本发明构思的一些实施方式，一种半导体存储器件可以包括：器件隔离图案，在衬底上并且限定第一有源部分；在第一有源部分上的第一存储节点焊盘；字线，在衬底中并延伸跨过第一有源部分；在第一存储节点焊盘上并跨越字线的位线；存储节点接触，在位线的一侧并与第一存储节点焊盘相邻；以及在存储节点接触和第一存储节点焊盘之间的欧姆接触层。欧姆接触层的底表面可以被圆化。

根据本发明构思的一些实施方式，一种半导体存储器件可以包括：器件隔离图案，在衬底上并且限定第一有源部分；在第一有源部分上的第一存储节点焊盘；字线，在衬底中并延伸跨过第一有源部分；在第一存储节点焊盘上并跨越字线的位线；以及在位线的一侧并与第一存储节点焊盘相邻的存储节点接触。存储节点接触可以包括接触金属图案和接触扩散阻挡图案，接触扩散阻挡图案围绕接触金属图案的侧壁和接触金属图案的底表面。接触扩散阻挡图案的底表面可以被圆化。

根据本发明构思的一些实施方式，一种半导体存储器件可以包括：器件隔离图案，在衬底上并且限定在第一方向上彼此并排相邻的第一有源部分、第二有源部分和第三有源部分；分别在第一有源部分、第二有源部分和第三有源部分中的第一杂质区、第二杂质区和第三杂质区；字线，在衬底中并延伸跨过第一有源部分和第二有源部分；在字线上的字线覆盖图案；在第一有源部分上的位线接触；在位线接触上并跨越字线的位线；在第二有源部分上的第一存储节点焊盘；在第三有源部分上的第二存储节点焊盘；在第一存储节点焊盘和第二存储节点焊盘之间的焊盘分离图案；在第一存储节点焊盘和位线接触的上部之间的掩埋电介质图案；以及在第一存储节点焊盘和位线接触的下部之间的接触电介质图案。接触电介质图案可以包括其介电常数小于硅氮化物的介电常数的材料，或可以由其介电常数小于硅氮化物的介电常数的材料形成。接触电介质图案可以具有在约4nm和约10nm之间的宽度。

根据本发明构思的一些实施方式，一种制造半导体存储器件的方法可以包括：在衬底上形成器件隔离图案，以限定多个有源部分中的每个；去除器件隔离图案的上部以暴露所述多个有源部分的侧壁；在有源部分中形成多个第一杂质区和多个第二杂质区；形成覆盖衬底的导电层；蚀刻所述导电层以形成多个第一导电图案和第二导电图案，所述多个第一导电图案分别重叠所述多个第一杂质区，所述多个第一导电图案中的每个第一导电图案为圆形形状，并且第二导电图案重叠所述多个第二杂质区；形成覆盖相应的第一导电图案的多个接触覆盖图案；去除第二导电图案的上部以减小第二导电图案的厚度；蚀刻第二导电图案以形成分别重叠所述多个第二杂质区的多个存储节点焊盘；在所述多个存储节点焊盘中的两个相邻存储节点焊盘之间形成焊盘分离图案；在所述多个第一导电图案上形成多条位线；以及蚀刻位线下方的所述多个第一导电图案以形成多个位线接触。