[发明专利]半导体存储器件

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

器件隔离图案，在衬底上并且限定第一有源部分；

第一存储节点焊盘，在所述第一有源部分上；

字线，在所述衬底中并延伸跨过所述第一有源部分；

位线，在所述第一存储节点焊盘上并跨越所述字线；

存储节点接触，在所述位线的一侧并与所述第一存储节点焊盘相邻；以及

欧姆接触层，在所述存储节点接触和所述第一存储节点焊盘之间，

其中所述欧姆接触层的底表面被圆化。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：

第二有源部分，由所述器件隔离图案限定并与所述第一有源部分相邻；

第二存储节点焊盘，在所述第二有源部分上；

焊盘分离图案，在所述第一存储节点焊盘和所述第二存储节点焊盘之间；以及

字线覆盖图案，在所述字线上，

其中所述焊盘分离图案接触所述字线覆盖图案的顶表面。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器件，还包括：

第一辅助电介质图案，在所述第一存储节点焊盘和所述焊盘分离图案之间；以及

第二辅助电介质图案，在所述第二存储节点焊盘和所述焊盘分离图案之间，

其中所述焊盘分离图案在所述第一辅助电介质图案和所述第二辅助电介质图案之间，以及

其中所述第一辅助电介质图案和所述第二辅助电介质图案中的每个包括与所述焊盘分离图案的材料不同的材料。

4.根据权利要求2所述的半导体存储器件，

其中所述焊盘分离图案接触所述第一存储节点焊盘的顶表面和所述第二存储节点焊盘的顶表面。

5.根据权利要求4所述的半导体存储器件，还包括：

在所述位线和第三有源部分之间的位线接触，

其中所述第三有源部分在所述位线下方，以及

其中所述位线接触的顶表面在与所述焊盘分离图案的顶表面的水平相同的水平处。

6.根据权利要求2所述的半导体存储器件，

其中所述第一存储节点焊盘的顶表面、所述第二存储节点焊盘的顶表面和所述焊盘分离图案的顶表面处于彼此相同的水平。

7.根据权利要求2所述的半导体存储器件，

其中所述位线跨越所述焊盘分离图案，

其中所述半导体存储器件还包括：

第一间隔物，覆盖所述位线的侧壁；以及

第一电介质层、第二电介质层和第三电介质层，顺序地插设在所述焊盘分离图案和所述位线之间，

其中所述第一电介质层接触所述焊盘分离图案，

其中所述第二电介质层和所述第三电介质层在所述第一电介质层和所述位线之间，

其中所述第二电介质层的侧壁和所述第三电介质层的侧壁与所述位线的侧壁对准，以及

其中所述第一电介质层的侧壁与所述第一间隔物的侧壁对准。

8.根据权利要求1所述的半导体存储器件，

其中所述存储节点接触由金属和金属氮化物形成。

9.根据权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：

由所述器件隔离图案限定并与所述第一有源部分相邻的第二有源部分，所述第二有源部分在所述位线下方；以及

在所述位线和所述第二有源部分之间的位线接触，

其中所述器件隔离图案暴露所述衬底的所述第二有源部分的第一侧表面，以及

其中所述位线接触与所述第二有源部分的所述第一侧表面接触。

10.根据权利要求9所述的半导体存储器件，

其中所述衬底的所述第二有源部分具有第二侧表面，所述第二侧表面由所述器件隔离图案暴露并且与所述第一侧表面相反，以及

其中所述位线接触进一步与所述第二有源部分的所述第二侧表面接触。