[发明专利]进气装置及半导体工艺设备在审

专利信息
申请号: 202210575035.2 申请日: 2022-05-25
公开(公告)号: CN114743903A 公开(公告)日: 2022-07-12
发明(设计)人: 刘胜明;郑波;荣延栋 申请(专利权)人: 北京北方华创微电子装备有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/768
代理公司: 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 代理人: 周永强
地址: 100176 北京市*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 装置 半导体 工艺设备
【说明书】:

本申请公开了一种进气装置及半导体工艺设备,涉及半导体装备领域。一种进气装置包括:第一腔体、第二腔体、第一连接管和多个第二连接管;第一腔体与第二腔体层叠设置,且第一腔体朝向第二腔体的一侧开设第一进气孔和多个第一匀气孔,第一腔体的背离第二腔体的一侧开设多个第二匀气孔,且多个第二匀气孔中的部分第二匀气孔通过多个第二连接管与多个第一匀气孔一一对应连通;第一连接管穿过第二腔体,并通过第一进气孔与第一腔体连通,第二腔体的背离第一腔体的一侧开设第二进气孔,第二进气孔与第二腔体连通。一种半导体工艺设备,包括上述进气装置。本申请能够解决当前匀气结构进气时导致工艺结果的重复性和均匀性较差的问题。

技术领域

本申请属于半导体装备技术领域,具体涉及一种进气装置及半导体工艺设备。

背景技术

随着集成电路工艺的逐步发展,特征尺寸越来越小,传统的铝互连工艺在小线宽下受到信号延时的限制。为了解决这一问题,采用铜互连代替铝互连技术,使得通过铜互连技术可以有效解决信号延时的问题,并使芯片的集成度和器件的密度也得到较大的提升,然而,铜存在扩散问题。基于此,钨塞逐渐成为半导体行业中应用广泛的一道工艺技术。

随着孔洞或沟槽的深宽比逐渐增加,单纯靠化学气相沉积生成的钨塞难以达到填充良好的效果,还需通过N2处理工艺对孔洞或沟槽的开口进行钝化处理,以使孔洞或沟槽的开口处的钨膜生成速率降低,提高钨塞的填充能力。

当前的工艺过程采用同一套匀气结构进行输气,具体为,在进行工艺时,两种反应物WF6和B2H6交替通过匀气结构输送至反应腔室,以进行原子层沉积反应,形成一层钨形核层;随后,N2等离子也通过匀气结构输送至反应腔室,对钨形核层的表面进行表面处理;然后,WF6和H2同时通过匀气结构输送至反应腔室,进行化学气相反应生成块钨。

然而,上述过程中,N2等离子与反应气体WF6、B2H6及H2均通过同一套匀气结构输送至反应腔室,使得N2等离子与反应气体之间会相互影响,导致工艺结果的重复性和均匀性较差。

发明内容

本申请实施例的目的是提供一种进气装置和半导体工艺设备,能够解决当前匀气结构输送多种气体时导致工艺结果的重复性和均匀性较差的问题。

为了解决上述技术问题,本申请是这样实现的:

本申请实施例提供了一种进气装置,用于向半导体工艺设备的工艺腔室进行输气,该进气装置包括:第一腔体、第二腔体、第一连接管和多个第二连接管;

所述第一腔体与所述第二腔体层叠设置,且所述第一腔体朝向所述第二腔体的一侧开设有连通两者的第一进气孔和多个第一匀气孔,所述第一腔体的背离所述第二腔体的一侧开设有多个第二匀气孔,且多个所述第二匀气孔中的部分所述第二匀气孔通过多个所述第二连接管与多个所述第一匀气孔一一对应连通;

所述第一连接管穿过所述第二腔体,并通过所述第一进气孔与所述第一腔体连通,所述第二腔体的背离所述第一腔体的一侧开设有第二进气孔,所述第二进气孔与所述第二腔体连通。

本申请实施例还提供了一种半导体工艺设备,该半导体工艺设备包括:工艺腔室、基座和上述进气装置;

所述基座设置于所述工艺腔室内,用于承载晶圆;

所述进气装置设置于所述工艺腔室内,且所述进气装置的多个所述第二匀气孔中的至少部分与所述基座相对设置,所述进气装置的第一连接管以及第二进气孔处连接的进气管均延伸出所述工艺腔室之外。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司,未经北京北方华创微电子装备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210575035.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top