[发明专利]进气装置及半导体工艺设备

说明书

本申请公开了一种进气装置及半导体工艺设备，涉及半导体装备领域。一种进气装置包括：第一腔体、第二腔体、第一连接管和多个第二连接管；第一腔体与第二腔体层叠设置，且第一腔体朝向第二腔体的一侧开设第一进气孔和多个第一匀气孔，第一腔体的背离第二腔体的一侧开设多个第二匀气孔，且多个第二匀气孔中的部分第二匀气孔通过多个第二连接管与多个第一匀气孔一一对应连通；第一连接管穿过第二腔体，并通过第一进气孔与第一腔体连通，第二腔体的背离第一腔体的一侧开设第二进气孔，第二进气孔与第二腔体连通。一种半导体工艺设备，包括上述进气装置。本申请能够解决当前匀气结构进气时导致工艺结果的重复性和均匀性较差的问题。

技术领域

本申请属于半导体装备技术领域，具体涉及一种进气装置及半导体工艺设备。

背景技术

随着集成电路工艺的逐步发展，特征尺寸越来越小，传统的铝互连工艺在小线宽下受到信号延时的限制。为了解决这一问题，采用铜互连代替铝互连技术，使得通过铜互连技术可以有效解决信号延时的问题，并使芯片的集成度和器件的密度也得到较大的提升，然而，铜存在扩散问题。基于此，钨塞逐渐成为半导体行业中应用广泛的一道工艺技术。

随着孔洞或沟槽的深宽比逐渐增加，单纯靠化学气相沉积生成的钨塞难以达到填充良好的效果，还需通过N₂处理工艺对孔洞或沟槽的开口进行钝化处理，以使孔洞或沟槽的开口处的钨膜生成速率降低，提高钨塞的填充能力。

当前的工艺过程采用同一套匀气结构进行输气，具体为，在进行工艺时，两种反应物WF₆和B₂H₆交替通过匀气结构输送至反应腔室，以进行原子层沉积反应，形成一层钨形核层；随后，N₂等离子也通过匀气结构输送至反应腔室，对钨形核层的表面进行表面处理；然后，WF₆和H₂同时通过匀气结构输送至反应腔室，进行化学气相反应生成块钨。

然而，上述过程中，N₂等离子与反应气体WF₆、B₂H₆及H₂均通过同一套匀气结构输送至反应腔室，使得N₂等离子与反应气体之间会相互影响，导致工艺结果的重复性和均匀性较差。

发明内容

本申请实施例的目的是提供一种进气装置和半导体工艺设备，能够解决当前匀气结构输送多种气体时导致工艺结果的重复性和均匀性较差的问题。

为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：

本申请实施例提供了一种进气装置，用于向半导体工艺设备的工艺腔室进行输气，该进气装置包括：第一腔体、第二腔体、第一连接管和多个第二连接管；

所述第一腔体与所述第二腔体层叠设置，且所述第一腔体朝向所述第二腔体的一侧开设有连通两者的第一进气孔和多个第一匀气孔，所述第一腔体的背离所述第二腔体的一侧开设有多个第二匀气孔，且多个所述第二匀气孔中的部分所述第二匀气孔通过多个所述第二连接管与多个所述第一匀气孔一一对应连通；

所述第一连接管穿过所述第二腔体，并通过所述第一进气孔与所述第一腔体连通，所述第二腔体的背离所述第一腔体的一侧开设有第二进气孔，所述第二进气孔与所述第二腔体连通。

本申请实施例还提供了一种半导体工艺设备，该半导体工艺设备包括：工艺腔室、基座和上述进气装置；

所述基座设置于所述工艺腔室内，用于承载晶圆；

所述进气装置设置于所述工艺腔室内，且所述进气装置的多个所述第二匀气孔中的至少部分与所述基座相对设置，所述进气装置的第一连接管以及第二进气孔处连接的进气管均延伸出所述工艺腔室之外。