[发明专利]一种C12A7：e-电子化合物靶材及其制备方法

权利要求书

1.一种C12A7：e-电子化合物靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将CaCO₃、Al₂O₃粉混合均匀后，置于石墨坩埚中，在通入惰性气体气氛炉中进行固相反应，形成C12A7化合物；其中，反应温度为1300～1400℃，升温速率为5～10℃，反应时间为4～6h；

(2)将步骤(1)所得的C12A7化合物破碎成粉体，将粉体置于带盖石墨桶中，然后将装有粉体的石墨桶置于真空感应炉中进行熔炼还原，采用定向凝固的方式，形成C12A7：e-电子化合物；其中，熔炼还原的温度为1450～1600℃，时间为2～4h，定向凝固的速率为0.1～0.5mm/s；

(3)将步骤(2)所得C12A7：e-电子化合物加工后，与背板进行绑定，得到C12A7：e-电子化合物靶材。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述熔炼还原的温度为1450～1550℃，时间为2.5～3.5h。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述定向凝固的速率为0.1～0.3mm/s。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)，粉体的粒径10mm。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述CaCO₃、Al₂O₃粉混合的步骤为：将CaCO₃、Al₂O₃粉置于双运动设备中进行搅拌至混合均匀。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述双运动设备的物料桶转速为10～30r/min，内部螺旋叶片转速为50～70r/min，搅拌的时间为4～6h。

7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)，加工的具体步骤为：步骤(2)所得C12A7：e-电子化合物用单线切割将其切割成厚度为6.5～7mm的小圆柱，再次经过磨床磨至成品厚度，然后在数控外圆磨床进行外圆加工，得到成品；其中，单向切割的进刀量为1～2mm，磨床的进刀量为0.01～0.05mm，外圆加工的进刀量为1～2mm。

8.一种C12A7：e-电子化合物靶材，其特征在于，由权利要求1～7任一项制备方法制备而成。

9.如权利要求8所述的C12A7：e-电子化合物靶材，其特征在于，所述靶材的相对密度99％，纯度4N。