[发明专利]半导体器件、存储器、打印头及耗材盒在审
申请号: | 202210546530.0 | 申请日: | 2022-05-18 |
公开(公告)号: | CN114937653A | 公开(公告)日: | 2022-08-23 |
发明(设计)人: | 苏晶;刘康 | 申请(专利权)人: | 珠海艾派克微电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/525 | 分类号: | H01L23/525;H01L23/64;H01L27/112;B41J2/14;B41J2/175 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 范旋锋 |
地址: | 519060 广东省珠海市香洲区广湾街83号*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 存储器 打印头 耗材 | ||
1.一种半导体器件,其特征在于,包括:
半导体基板,设有第一端子和第二端子;
晶体管,设于所述半导体基板,并连接于所述第一端子;
反熔丝元件,设于所述半导体基板,并连接于所述晶体管和所述第二端子之间;
电阻器元件,设于所述半导体基板,并与所述反熔丝元件并联连接于所述晶体管和所述第二端子之间;
其中,所述晶体管一方面经第一布线连接于所述反熔丝元件一端,所述晶体管另一方面经第二布线连接于所述电阻器元件一端;所述反熔丝元件的另一端经第三布线连接于所述第二端子,所述电阻器元件的另一端经第四布线连接于所述第二端子;
所述第一布线和所述第三布线均称为反熔丝布线,所述第二布线和所述第四布线均称为电阻器布线;
至少一条所述反熔丝布线呈第一层叠式结构设置,和/或,至少一条所述电阻器布线与对应的所述反熔丝布线呈第二层叠式结构设置,所述电阻器布线电阻之和大于所述反熔丝布线电阻之和。
2.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述第一层叠式结构包括多层相互并联连接的布线子层,且相邻两层所述布线子层间通过绝缘层分隔。
3.根据权利要求2所述的半导体器件,其特征在于,所述布线子层在所述晶体管与所述反熔丝元件之间的空间内层叠,和/或,所述布线子层在所述反熔丝元件和所述第二端子之间的空间内层叠。
4.根据权利要求2所述的半导体器件,其特征在于,相邻的两层所述布线子层之间设置有多个连接部。
5.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述第二层叠式结构为所述反熔丝布线和所述电阻器布线处于不同的布线层。
6.根据权利要求5所述的半导体器件,其特征在于,至少一条所述电阻器布线具有迂回布线结构。
7.根据权利要求6所述的半导体器件,其特征在于,在所述半导体基板的厚度延伸方向上,至少一条所述电阻器布线的投影与所述反熔丝元件的投影至少部分重叠,和/或,至少一条所述电阻器布线的投影与所述电阻器元件的投影至少部分重叠。
8.根据权利要求1-7任一所述的半导体器件,其特征在于,所述半导体基板具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面,沿所述第二表面向所述第一表面上的方向,依次设置有器件、所述反熔丝布线、所述电阻器布线,所述器件包括所述晶体管、所述反熔丝元件和所述电阻器元件。
9.根据权利要求1-7任一所述的半导体器件,其特征在于,所述第一布线和所述第三布线处于同一布线层,所述第二布线和所述第四布线处于不同的布线层。
10.一种存储器,其特征在于,所述存储器包括如权利要求1~9任一项所述的半导体器件。
11.一种打印头,其特征在于,包括喷孔、墨室和打印元件,所述打印元件用于将所述墨室内的墨水从所述喷孔中喷出,所述打印头还包括如权利要求1~9任一项所述的半导体器件。
12.一种耗材盒,其特征在于,所述耗材盒包括如权利要求1~9任一项所述的半导体器件。
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