[发明专利]电子芯片的制造在审

专利信息
申请号: 202210541214.4 申请日: 2022-05-17
公开(公告)号: CN115377041A 公开(公告)日: 2022-11-22
发明(设计)人: O·奥里;M·德克鲁兹 申请(专利权)人: 意法半导体(图尔)公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L23/31
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 董莘
地址: 法国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电子 芯片 制造
【说明书】:

本公开的实施例涉及电子芯片的制造。本公开涉及一种电子芯片,所述电子芯片包括携带有至少一个金属接触件的半导体衬底,所述金属接触件在所述衬底的厚度内沿着所述芯片的至少一个侧表面延伸。

技术领域

本公开涉及电子芯片的制造。更具体地,它涉及所谓的表面安装芯片的制造,即,在至少一个面的一侧上,包括一个或多个金属化连接,用于焊接到外部器件的相应连接焊盘,例如印刷电路板或其他芯片。

背景技术

在某些情况下,需要表面安装芯片,其中,预定焊接到外部器件的金属化连接延伸到芯片的侧面。这些被称为可湿性侧面芯片。当芯片安装在其环境中(例如,在印刷电路板上)时,金属化连接被锡焊或钎焊到印刷电路侧的相应金属轨道或元件。然后,一部分焊接材料上升到芯片的侧面,从而可以实施目视检查连接的质量。例如,这种需求存在于汽车或医疗领域,更通常地,存在于一旦将电路安装在其环境中就寻求保证电气连接可靠性的领域。

希望至少部分地改进用于制造具有可湿性侧面的电子芯片的已知方法的某些方面。

发明内容

需要改进已知的微芯片及其制造方法。

一个实施例解决了已知电子芯片及其制造方法的全部或部分缺陷。

一个实施例提供了一种电子芯片,所述电子芯片包括带有至少一个金属接触件的半导体衬底,所述至少一个金属接触件在所述衬底的厚度内沿着所述芯片的至少一个侧面延伸。

另一个实施例提供了一种制造电子芯片的方法,包括形成至少一个金属接触件的至少一个步骤,所述至少一个金属接触件在半导体衬底的厚度内沿着所述芯片的至少一个侧面延伸。

根据一个实施例,所述金属接触件与所述芯片的上表面齐平,所述表面是平坦的。

根据一个实施例,所述芯片仅覆盖有金属接触件和绝缘保护树脂。

根据一个实施例,金属接触件沿所述芯片的至少一个侧面在50μm和200μm之间的高度上延伸,优选地为大约100μm。

根据一个实施例,所述金属接触件由锡基合金制成。

根据一个实施例,所述衬底的下表面涂有电绝缘保护树脂。

根据一个实施例,所述金属接触件在所述衬底的厚度内通过绝缘层与所述衬底分隔。

根据一个实施例,芯片具有平行六面体的形状,至少在所述金属接触件的水平上包括所述芯片高度中的肩部。

根据一个实施例,所述金属接触件在所述芯片的上表面的至少一部分、所述芯片的侧表面的至少一部分以及所述肩部的与所述上表面平行的表面的至少一部分上连续地延伸。

根据一个实施例,所述方法至少包括以下步骤:

a1)在所述半导体衬底的上表面侧形成第一开口,多个集成电路已经预先形成在所述半导体衬底中和其上,所述第一开口横向分隔所述集成电路;

b1)在所述第一开口中和所述衬底的上表面的一部分上沉积金属材料层;

c1)形成与所述金属层对齐的凸块,所述凸块覆盖所述金属层和形成在相同衬底中的两个相邻集成电路的至少两个金属接触件连接焊盘;

d1)从所述衬底的上表面形成第一沟槽,以便个体化每个集成电路,所述第一沟槽与所述凸块相交并且延伸的宽度小于或等于所述第一开口的宽度并且凸块延伸的深度大于所述第一开口的深度;

e1)在所述第一沟槽中和所述衬底的整个上表面上沉积电绝缘保护树脂;

f1)通过所述衬底的上表面将所述衬底减薄,以便去除所述保护绝缘树脂的一部分和所述凸块的一部分;

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