[发明专利]电子芯片的制造在审

专利信息
申请号: 202210541214.4 申请日: 2022-05-17
公开(公告)号: CN115377041A 公开(公告)日: 2022-11-22
发明(设计)人: O·奥里;M·德克鲁兹 申请(专利权)人: 意法半导体(图尔)公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L23/31
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 董莘
地址: 法国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电子 芯片 制造
【权利要求书】:

1.一种器件,包括:

衬底,包括第一表面、与所述第一表面相对的第二表面、以及横向于所述第一表面和所述第二表面的侧壁;

互连层,在所述衬底的所述第一表面上,所述互连层包括导电焊盘;

绝缘层,在所述衬底的所述侧壁的第一部分上并且覆盖所述第一部分;

导电层,被耦合到在所述衬底的所述第一表面处的所述导电焊盘,所述导电层在所述绝缘层上并且覆盖所述绝缘层,并且所述导电层通过所述绝缘层与所述衬底的所述侧壁分隔;以及

第一树脂层,从所述衬底的所述第二表面延伸到所述绝缘层,并且所述第一树脂层在所述衬底的所述侧壁的第二部分上并且覆盖所述第二部分;

第二树脂层,在所述衬底的所述第二表面上并且在所述第一树脂层上。

2.根据权利要求1所述的器件,其中所述侧壁的所述第一部分比所述侧壁的所述第二部分小。

3.根据权利要求1所述的器件,其中:

所述绝缘层包括与所述衬底的所述侧壁的所述第二部分基本上共面的第一端侧壁;以及

所述导电层包括与所述衬底的所述侧壁的所述第二部分以及所述绝缘层的所述第一端侧壁基本上共面的第二端侧壁。

4.根据权利要求1所述的器件,其中所述第一树脂层覆盖所述绝缘层的所述第一端侧壁和所述导电层的所述第二端侧壁。

5.根据权利要求1所述的器件,其中所述侧壁的所述第一部分偏离所述侧壁的所述第二部分。

6.根据权利要求1所述的器件,其中所述绝缘层、所述导电层、所述第一树脂层和所述第二树脂层的侧壁表面彼此基本上共面,并且与所述衬底的所述侧壁间隔开。

7.根据权利要求1所述的器件,其中所述第一树脂层包括负光敏树脂材料。

8.根据权利要求1所述的器件,其中所述绝缘层包括与所述衬底的所述第一表面基本上共面并且齐平的端表面。

9.根据权利要求8所述的器件,其中所述绝缘层具有L形状。

10.一种方法,包括:

形成多个第一开口,所述第一开口延伸穿过衬底上的互连层并且延伸到所述衬底中;

在所述多个第一开口中形成绝缘材料;

通过在所述多个第一开口中形成导电材料,来利用所述导电材料覆盖所述绝缘材料;

在所述导电材料上形成多个导电凸块,所述导电凸块中的每个导电凸块覆盖所述互连层的多个接触件连接焊盘中的至少两个相邻接触件连接焊盘;以及

通过去除所述导电层、所述衬底和所述导电凸块的部分,形成延伸穿过所述导电凸块、穿过所述导电材料、并且延伸到所述衬底中的多个沟槽。

11.根据权利要求10所述的方法,还包括:

在所述多个沟槽中、在所述多个导电凸块上并且在所述互连层上形成第一树脂层;

通过第一平坦化步骤通过去除所述第一树脂层和所述导电凸块的部分来形成第一表面;

形成与所述第一表面相对的第二表面,并且通过去除所述衬底的一部分而在所述第二表面处暴露所述第一树脂层;

在所述第二表面上形成第二树脂层;

通过形成多个第二开口来暴露所述导电材料的多个导电侧壁表面,所述多个第二开口延伸到所述第一树脂层的、形成在所述多个沟槽内的部分中;以及

通过去除所述第一树脂层和所述第二树脂层的、与所述多个第二开口中的第二开口对齐的部分来形成多个电子芯片。

12.根据权利要求11所述的方法,其中通过去除所述第一树脂层和所述第二树脂层的、与所述多个第二开口中的第二开口对齐的部分来形成所述多个电子芯片包括:形成所述第一树脂层以及所述第二树脂层的、偏离所述多个导电侧壁表面的多个侧壁表面。

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