[发明专利]半导体器件的制作方法、半导体器件及存储器系统

说明书

本申请提供一种半导体器件的制作方法、半导体器件及存储器系统，该制作方法包括：在衬底上形成第一停止层；对第一停止层背离衬底的表面进行抗氧化处理，以在第一停止层的被处理表面上形成抗氧化物；在抗氧化处理后的第一停止层上形成堆叠层；形成沿堆叠层的厚度方向贯穿堆叠层，并延伸至衬底内的第一沟道孔；通过第一沟道孔，对第一停止层进行氧化处理，得到第二沟道孔；在第二沟道孔中形成存储沟道结构，从而能避免堆叠层产生鼓包现象和内部应力集中现象。

【技术领域】

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体器件的制作方 法、半导体器件及存储器系统。

【背景技术】

三维存储器是一种新兴的存储器类型，通过把内存颗粒堆叠在一 起来解决2D或者平面存储器带来的限制。不同于将存储单元放置在 单面，三维存储器技术垂直堆叠了多层存储单元。基于该技术，可打 造出存储容量比同类存储器技术高达数倍的存储设备。该技术可支持 在更小的空间内容纳更高的存储容量，进而带来很大的成本节约、能 耗降低以及大幅的性能提升。

在三维存储器制作工艺中，随着堆叠层数的增加，存储沟道结构 的制作越来越难。在制作存储沟道结构时，堆叠层容易发生鼓包现 象，影响存储器性能。

【发明内容】

本发明在于提供一种半导体器件的制作方法、半导体器件及存储 器系统，能减少堆叠层的鼓包现象，有利于提高半导体器件性能。

一方面，本申请实施例提供了一种半导体器件的制作方法，包 括：

在衬底上形成第一停止层；

对所述第一停止层背离所述衬底的表面进行抗氧化处理，以在所 述第一停止层的被处理表面上形成抗氧化物；

在抗氧化处理后的所述第一停止层上形成堆叠层；

形成沿所述堆叠层的厚度方向贯穿所述堆叠层，并延伸至所述衬 底内的第一沟道孔；

通过所述第一沟道孔，对所述第一停止层进行氧化处理，得到第 二沟道孔；

在所述第二沟道孔中形成存储沟道结构。

在一些实施方式中，所述抗氧化处理包括含氮物表面处理，所述 抗氧化物包括氮化物。

在一些实施方式中，在抗氧化处理后的所述第一停止层上形成堆 叠层的步骤之前，还包括：

在抗氧化处理后的所述第一停止层上形成间隔层；

在所述间隔层上形成第二停止层，所述第一停止层的材料不同于 所述第二停止层的材料。

在一些实施方式中，所述在所述间隔层上形成第二停止层的步 骤，还包括：

对所述第二停止层背离所述衬底的表面进行抗氧化处理。

在一些实施方式中，所述在衬底上形成第一停止层的步骤，还包 括：

对所述第一停止层进行掺杂处理。

在一些实施方式中，所述第一停止层和/或所述第二停止层的材 料包括多晶硅。

在一些实施方式中，所述堆叠层包括栅牺牲层，在所述第二沟道 孔中形成存储沟道结构的步骤之后，还包括：

形成栅线缝隙，所述栅线缝隙沿所述堆叠层的厚度方向贯穿所述 堆叠层，并延伸至所述衬底内；

去除所述栅牺牲层，得到栅极空隙；

在所述栅极空隙中形成栅极结构，并在所述栅线缝隙中形成栅线 缝隙结构。

在一些实施方式中，所述第一停止层和所述衬底直接接触。

另一方面，本申请实施例还提供了一种半导体器件，包括：