[发明专利]半导体器件的制作方法、半导体器件及存储器系统

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成第一停止层；

对所述第一停止层背离所述衬底的表面进行抗氧化处理，以在所述第一停止层的被处理表面上形成抗氧化物；

在抗氧化处理后的所述第一停止层上形成堆叠层；

形成沿所述堆叠层的厚度方向贯穿所述堆叠层，并延伸至所述衬底内的第一沟道孔；

通过所述第一沟道孔，对所述第一停止层进行氧化处理，得到第二沟道孔；

在所述第二沟道孔中形成存储沟道结构。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述抗氧化处理包括含氮物表面处理，所述抗氧化物包括氮化物。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在抗氧化处理后的所述第一停止层上形成堆叠层的步骤之前，还包括：

在抗氧化处理后的所述第一停止层上形成间隔层；

在所述间隔层上形成第二停止层，所述第一停止层的材料不同于所述第二停止层的材料。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述间隔层上形成第二停止层的步骤，还包括：

对所述第二停止层背离所述衬底的表面进行抗氧化处理。

5.根据权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在衬底上形成第一停止层的步骤，还包括：

对所述第一停止层进行掺杂处理。

6.根据权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一停止层和/或所述第二停止层的材料包括多晶硅。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述堆叠层包括栅牺牲层，在所述第二沟道孔中形成存储沟道结构的步骤之后，还包括：

形成栅线缝隙，所述栅线缝隙沿所述堆叠层的厚度方向贯穿所述堆叠层，并延伸至所述衬底内；

去除所述栅牺牲层，得到栅极空隙；

在所述栅极空隙中形成栅极结构，并在所述栅线缝隙中形成栅线缝隙结构。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一停止层和所述衬底直接接触。

9.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体结构；

位于所述半导体结构上的第一停止层，所述第一停止层背离所述半导体结构的表面覆盖有抗氧化物；

位于所述第一停止层上的堆叠结构；

沿所述堆叠结构的厚度方向贯穿所述堆叠结构，并延伸至所述半导体结构内的存储沟道结构。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述抗氧化物包括氮化物。

11.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括位于所述第一停止层和所述堆叠结构之间且层叠设置的间隔层和第二停止层，所述间隔层位于所述第一停止层上，所述第二停止层位于所述间隔层上，所述第一停止层的材料不同于所述第二停止层的材料。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述第二停止层背离所述半导体结构的表面覆盖有抗氧化物。

13.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述第一停止层中与所述半导体结构接触的部分的上表面水平。

14.一种存储器系统，其特征在于，包括至少一个如权利要求9-13中任一项所述的半导体器件、以及与所述半导体器件耦合的控制器，所述控制器用于控制所述半导体器件存储数据。