[发明专利]半导体封装用低应力、低吸水率环氧塑封料及其制备方法

权利要求书

1.半导体封装用低应力和低吸水率环氧塑封料，其特征在于，所述的组分及含量如下：

2.根据权利要求1所述的半导体封装用低应力和低吸水率环氧塑封料，其特征在于，所述填料为：SiO₂微粉、Al₂O₃微粉、AlN微粉、SiC微粉和BN微粉中的任意一种或几种；其中所述SiO₂包括结晶型SiO₂微粉、熔融型SiO₂微粉或表面改性SiO₂微粉。

3.根据权利要求1所述的半导体封装用低应力和低吸水率环氧塑封料，其特征在于，所述的环氧树脂选自结构式(Ⅰ)中的任意一种或几种：

4.根据权利要求1所述的半导体封装用低应力和低吸水率环氧塑封料，其特征在于，所述酚醛树脂选自结构式(Ⅱ)中的任意一种或几种：

5.根据权利要求1所述的半导体封装用低应力和低吸水率环氧塑封料，其特征在于，所述的催化剂为：咪唑及其衍生物、有机胺类化合物、三苯基磷及其衍生物、磷鎓盐化合物中的任意一种或几种。

6.根据权利要求1所述的半导体封装用低应力和低吸水率环氧塑封料，其特征在于，所述的应力吸收剂为：端羧基液体丁腈橡胶(CTBN)、有机硅改性环氧树脂、核壳结构橡胶(CSR)、有机硅类嵌段共聚物中的任意一种或几种。

7.根据权利要求1所述的半导体封装用低应力和低吸水率环氧塑封料，其特征在于，所述的偶联剂为：硅烷类偶联剂、钛酸酯类偶联剂中的任意一种或两者混合物；

其中，所述的硅烷类偶联剂选自3-巯丙基三甲氧基硅烷、N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、双-[3-(三乙氧基硅)丙基]-四硫化物中的任意一种或几种；所述的钛酸酯类偶联剂选自异丙基三(二辛基焦磷酸酰氧基)钛酸酯和异丙基二油酸酯氧基(二辛基磷酸酰氧基钛酸酯)中的任意一种或其混合物。

8.根据权利要求1所述的半导体封装用低应力和低吸水率环氧塑封料，其特征在于，所述的脱模剂选自常规的聚乙烯蜡、氧化聚乙烯蜡、蒙旦E蜡、费托合成蜡、植物蜡、脂肪酸甘油酯蜡、马来酸酐接枝改性蜡中的任意一种或几种。

9.根据权利要求1所述的半导体封装用低应力和低吸水率环氧塑封料，其特征在于，所述的着色剂选自铁黄、炭黑、钛白粉、ZnO、锌钡白中的任意一种或几种。

10.根据权利要求1所述的半导体封装用低应力和低吸水率环氧塑封料，其特征在于，所述的添加剂包括阻燃剂和离子捕捉剂；其中阻燃剂选自Al(OH)₃、硼酸锌、三聚氰胺尿酸盐、氧化三苯基磷中的任意一种或几种；离子捕捉剂选自阴离子捕捉剂、镁铝水滑石、阳离子捕捉剂中的任意一种或几种。

11.根据权利要求3或4所述的半导体封装用低应力和低吸水率环氧塑封料，其特征在于，所述的环氧树脂的环氧基与羟基摩尔比值为1.1-2.0，优选比值为1.3-1.7。

12.半导体封装用低应力和低吸水率环氧塑封料的生产方法，其特征在于，主要生产步骤如下：

a)首先将制备环氧塑封料所需组分做研磨等预处理，将其通过高搅混合均匀以得到预混合物；

b)然后将上述预混合物进料至挤出机中进一步混炼，对混炼后的挤出物进行冷却、粉碎，获得环氧塑封料粉料；

c)最后将制备的环氧塑封料粉料保存在低温环境，低温环境的温度控制在0-5℃。