[发明专利]微发光二极管显示装置的制备方法及电子设备

说明书

本申请提供一种微发光二极管显示装置的制备方法及电子设备，该方法包括提供半导体衬底；在半导体衬底上形成多个第一驱动晶圆和多个第二驱动晶圆，每一个第一驱动晶圆和第二驱动晶圆均包括用于驱动微发光二极管芯片的驱动电路；在多个第一驱动晶圆和多个第二驱动晶圆上形成互联线路层；在互联线路层上形成多个第一微发光二极管芯片焊盘和多个第二微发光二极管芯片焊盘；在每相邻的一个第一微发光二极管芯片焊盘和一个第二微发光二极管芯片焊盘上形成一个倒装微发光二极管芯片，每个微发光二极管芯片与一个第一驱动晶圆和一个第二驱动晶圆信号连接。本申请有利于提高微发光二极管显示装置的良率。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种微发光二极管显示装置的制备方法及电子设备。

背景技术

近年来，随着次毫米发光二极管(Mini LED)显示技术提升及成本下降，其渗透率不断提升。次毫米发光二极管显示技术具有面光源发光、高亮度、高对比度、寿命长等优点，主要终端产品为LED显示屏，得益于LED小间距渗透率逐步提升以及LED显示屏成本的下降，次毫米发光二极管显示屏在如会议室等应用场景中正逐步替代LCD、投影等产品。但是，从行业的技术发展来看，次毫米发光二极管仅仅是微发光二极管(Micro LED)的过渡产品，微发光二极管显示技术在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势。

在相关技术中，微发光二极管显示装置的主要采用巨量转移方法进行制备，大体流程为：将微发光二极管芯片从第一衬底上抓取下，然后转移到具有驱动电路的第二衬底上，并组装成二维周期阵列。

但是，采用相关技术的方案，微发光二极管显示装置的良率较低。

发明内容

本申请示例性的实施方式提供一种微发光二极管显示装置的制备方法及电子设备，有利于提升微发光二极管显示装置的良率。

一方面，本申请提供一种微发光二极管显示装置的制备方法，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成多个第一驱动晶圆和多个第二驱动晶圆，每一个所述第一驱动晶圆和所述第二驱动晶圆均包括用于驱动微发光二极管芯片的驱动电路；

在多个所述第一驱动晶圆和多个所述第二驱动晶圆上形成互联线路层；

在所述互联线路层上形成多个第一微发光二极管芯片焊盘和多个第二微发光二极管芯片焊盘；

在每相邻的一个所述第一微发光二极管芯片焊盘和一个所述第二微发光二极管芯片焊盘上形成一个倒装微发光二极管芯片，每个所述微发光二极管芯片与一个所述第一驱动晶圆和一个所述第二驱动晶圆信号连接。

本申请直接在半导体衬底上制备出了第一驱动晶圆、第二驱动晶圆、互联线路层、第一微发光二极管芯片焊盘和第二微发光二极管芯片焊盘，从而可以在第一微发光二极管芯片焊盘和第二微发光二极管芯片焊盘上直接制备微发光二极管芯片，无需对微发光二极管芯片进行巨量转移，有利于提高微发光二极管显示装置的良率。

本申请一些实施例中，所述互联线路层包括层叠设置的第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层和第三金属层，在多个所述第一驱动晶圆和多个所述第二驱动晶圆上形成互联线路层的步骤包括：

在多个所述第一驱动晶圆和多个所述第二驱动晶圆上蒸镀形成第一绝缘层，刻蚀去除部分所述第一绝缘层，在所述第一绝缘层内形成多个第一过孔；

在所述第一绝缘层上蒸镀形成第一覆铜层，通过构图工艺，使所述第一覆铜层形成第一金属层，所述第一金属层通过所述第一过孔与所述第一驱动晶圆或所述第二驱动晶圆相连通；

在所述第一金属层上蒸镀形成第二绝缘层，刻蚀去除部分所述第二绝缘层，在所述第二绝缘层上形成多个第二过孔；