[发明专利]微发光二极管显示装置的制备方法及电子设备

权利要求书

1.一种微发光二极管显示装置的制备方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成多个第一驱动晶圆和多个第二驱动晶圆，每一个所述第一驱动晶圆和所述第二驱动晶圆均包括用于驱动微发光二极管芯片的驱动电路；

在多个所述第一驱动晶圆和多个所述第二驱动晶圆上形成互联线路层；

在所述互联线路层上形成多个第一微发光二极管芯片焊盘和多个第二微发光二极管芯片焊盘；

在每相邻的一个所述第一微发光二极管芯片焊盘和一个所述第二微发光二极管芯片焊盘上形成一个倒装微发光二极管芯片，每个所述微发光二极管芯片与一个所述第一驱动晶圆和一个所述第二驱动晶圆信号连接。

2.根据权利要求1所述的微发光二极管显示装置的制备方法，其特征在于，所述互联线路层包括层叠设置的第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层和第三金属层，在多个所述第一驱动晶圆和多个所述第二驱动晶圆上形成互联线路层的步骤包括：

在多个所述第一驱动晶圆和多个所述第二驱动晶圆上蒸镀形成第一绝缘层，刻蚀去除部分所述第一绝缘层，在所述第一绝缘层内形成多个第一过孔；

在所述第一绝缘层上蒸镀形成第一覆铜层，通过构图工艺，使所述第一覆铜层形成第一金属层，所述第一金属层通过所述第一过孔与所述第一驱动晶圆或所述第二驱动晶圆相连通；

在所述第一金属层上蒸镀形成第二绝缘层，刻蚀去除部分所述第二绝缘层，在所述第二绝缘层上形成多个第二过孔；

在所述第二绝缘层上蒸镀形成第二覆铜层，通过构图工艺，使所述第一覆铜层形成第二金属层；

在所述第二金属层上蒸镀形成第三绝缘层，刻蚀去除部分所述第三绝缘层，在所述第三绝缘层上形成多个第三过孔和多个第四过孔，其中，多个所述第四过孔与多个所述第二过孔一一对应；

在所述第三绝缘层上蒸镀形成第三覆铜层，通过构图工艺，使所述第三覆铜层形成第三金属层，所述第三金属层通过所述第三过孔与所述第二金属层相连通，所述第三金属层通过所述第四过孔和第二过孔与所述第一金属层相连通。

3.根据权利要求2所述的微发光二极管显示装置的制备方法，其特征在于，在所述互联线路层上形成出多个第一微发光二极管芯片焊盘和多个第二微发光二极管芯片焊盘的步骤包括：

在所述第三金属层上蒸镀形成第四绝缘层，刻蚀去除部分所述第四绝缘层，在所述第一绝缘层上形成多个第五过孔；

在所述第四绝缘层上蒸镀形成导电层，刻蚀去除部分所述导电层，形成多个第一微发光二极管芯片焊盘和多个第二微发光二极管芯片焊盘，其中所述第一微发光二极管芯片焊盘通过所述第五过孔与所述第三金属层相连通，所述第二微发光二极管芯片焊盘的高度大于所述第一微发光二极管芯片焊盘的高度；

所述导电层的材料为金或锡。

4.根据权利要求3所述的微发光二极管显示装置的制备方法，其特征在于，在每相邻的一个所述第一微发光二极管芯片焊盘和一个所述第二微发光二极管芯片焊盘上形成一个倒装微发光二极管芯片的步骤包括：

在所述第四绝缘层上沉积保护层，使所述保护层填充在每相邻的一个所述第一微发光二极管芯片焊盘和一个所述第二微发光二极管芯片焊盘之间；

在所述保护层和相邻的所述第一微发光二极管芯片焊盘上形成布拉格反射层，使所述布拉格反射层覆盖所述第二微发光二极管芯片焊盘朝向所述第一微发光二极管芯片焊盘的侧面，所述布拉格反射层内还形成有第一通孔，所述第一微发光二极管芯片焊盘部分位于所述第一通孔内，使所述布拉格反射层与所述第一微发光二极管芯片焊盘形成第一凹槽；

在所述布拉格反射层上形成透明导电层，所述透明导电层背离所述第一凹槽的一侧形成第二凹槽；

在所述第二凹槽内沉积阻挡层；

在所述透明导电层和阻挡层上形成P型半导体层，所述P型半导体层与所述第一微发光二极管芯片焊盘相连通；

在所述P型半导体层上形成发光层；

在所述发光层上形成N型半导体层，所述N型半导体层与所述第二微发光二极管芯片焊盘相连通。