[发明专利]半导体工艺腔室

说明书

本发明提供一种半导体工艺腔室，其中用于向腔体内部输送气体的进气装置包括气路连接件、转接管和转接块；其中，气路连接件设置于喷嘴上，气路连接件内部具有第一通道，第一通道的出气端与喷嘴的进气端连通；转接块固定在线圈支架上；转接块内部具有第二通道，第二通道的进气端用于和气源连通，第二通道的出气端与转接管的进气端连通，转接管的出气端与第一通道的进气端连通。本发明提供的半导体工艺腔室，其能够减少向喷嘴施加的外力，从而能够减少喷嘴与介质窗之间发生摩擦，降低颗粒问题发生的风险。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种半导体工艺腔室。

背景技术

目前，传统的半导体工艺腔室通常由工艺气路向其内部输送工艺气体，为腔室内部提供工艺所需的反应原料。具体的，工艺气路的一端设置有喷嘴，喷嘴与工艺腔室的进气口连通；工艺气路的另一端与外部气源连接，以使工艺气体流经工艺气路，并由喷嘴均匀地输送至工艺腔室内部。

但在对半导体工艺腔室通入气体和抽真空的过程中，与腔室内环境连通的工艺气路会随之被抽真空，这会导致工艺气路中的管道部件在大气压强的影响下发生形变，该形变产生的应力会拉动与工艺气路连接的喷嘴，进而导致喷嘴与工艺腔室的进气口处边缘发生过度摩擦，造成颗粒问题，甚至加速喷嘴报废。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种半导体工艺腔室，其能够减少向喷嘴施加的外力，从而能够减少喷嘴与介质窗之间的摩擦，降低颗粒问题发生的风险。

为实现本发明的目的而提供一种半导体工艺腔室，包括腔体、介质窗、喷嘴和线圈支架，所述介质窗设置于所述腔体的顶部，所述线圈支架设置于所述腔体上且位于所述介质窗上方，所述介质窗上设置有进气口，所述喷嘴设于所述进气口内，其特征在于，还包括进气装置，所述进气装置包括气路连接件、转接管和转接块；

所述气路连接件设置于所述喷嘴上，所述气路连接件内部具有第一通道，所述第一通道的出气端与所述喷嘴的进气端连通；

所述转接块固定在所述线圈支架上；

所述转接块内部具有第二通道，所述第二通道的进气端用于和气源连通，所述第二通道的出气端与所述转接管的进气端连通，所述转接管的出气端与所述第一通道的进气端连通。

可选的，所述转接管包括两个刚性管段和可伸缩管段；所述可伸缩管段的两端分别连接两个所述刚性管段的一端，两个所述刚性管段的另一端分别连接与所述第一通道的进气端和所述第二通道的出气端。

可选的，所述第一通道的进气端开设在所述气路连接件的上表面处；所述转接块中的所述第二通道的出气端开设在所述转接块的上表面处；

所述刚性管段包括第一子管段、第二子管段、第三子管段和第四子管段；其中，所述第一子管段设置在所述转接块上方，并与所述第二通道的出气端连通；

所述第二子管段和所述第三子管段均位于所述气路连接件上方；所述第二子管段分别与所述第一通道的进气端和所述可伸缩管段连通；所述第三子管段的一端与所述可伸缩管段连通；

所述第四子管段分别与所述第一子管段和所述第三子管段连通。

可选的，所述第一子管段、所述第二子管段、所述第三子管段和所述可伸缩管段的轴线均平行于所述介质窗上的进气口的轴线。

可选的，所述可伸缩管段包括波纹管。

可选的，其特征在于，所述进气装置还包括进气管路，所述进气管路包括管路主体和刚性连接头；其中，

所述刚性连接头内部具有第三通道；所述第三通道的出气端与所述第二通道的进气端连通；所述第三通道的进气端与所述管路主体的出气端连通；所述管路主体的进气端用于和所述气源连通。

可选的，所述第二通道的进气端开设于所述转接块的侧面；