[发明专利]半导体工艺腔室

权利要求书

1.一种半导体工艺腔室，包括腔体、介质窗、喷嘴和线圈支架，所述介质窗设置于所述腔体的顶部，所述线圈支架设置于所述腔体上且位于所述介质窗上方，所述介质窗上设置有进气口，所述喷嘴设于所述进气口内，其特征在于，还包括进气装置，所述进气装置包括气路连接件、转接管和转接块；

所述气路连接件设置于所述喷嘴上，所述气路连接件内部具有第一通道，所述第一通道的出气端与所述喷嘴的进气端连通；

所述转接块固定在所述线圈支架上；

所述转接块内部具有第二通道，所述第二通道的进气端用于和气源连通，所述第二通道的出气端与所述转接管的进气端连通，所述转接管的出气端与所述第一通道的进气端连通。

2.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述转接管包括两个刚性管段和可伸缩管段；所述可伸缩管段的两端分别连接两个所述刚性管段的一端，两个所述刚性管段的另一端分别连接与所述第一通道的进气端和所述第二通道的出气端。

3.根据权利要求2所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第一通道的进气端开设在所述气路连接件的上表面处；所述转接块中的所述第二通道的出气端开设在所述转接块的上表面处；

所述刚性管段包括第一子管段、第二子管段、第三子管段和第四子管段；其中，所述第一子管段设置在所述转接块上方，并与所述第二通道的出气端连通；

所述第二子管段和所第述三子管段均位于所述气路连接件上方；所述第二子管段分别与所述第一通道的进气端和所述可伸缩管段连通；所述第三子管段的一端与所述可伸缩管段连通；

所述第四子管段分别与所述第一子管段和所述第三子管段连通。

4.根据权利要求3所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第一子管段、所述第二子管段、所述第三子管段和所述可伸缩管段的轴线均平行于所述介质窗上的进气口的轴线。

5.根据权利要求2所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述可伸缩管段包括波纹管。

6.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述进气装置还包括进气管路，所述进气管路包括管路主体和刚性连接头；其中，

所述刚性连接头内部具有第三通道；所述第三通道的出气端与所述第二通道的进气端连通；所述第三通道的进气端与所述管路主体的出气端连通；所述管路主体的进气端用于和所述气源连通。

7.根据权利要求6所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第二通道的进气端开设于所述转接块的侧面；

所述刚性连接头包括第五子管段、第六子管段和第七子管段；其中，所述第五子管段的出气端与所述第二通道的进气端连通，所述第五子管段的进气端与所述第六子管段的出气端连通；

所述第六子管段的进气端与所述第七子管段的出气端连通，且所述第六子管段沿竖直方向延伸；

所述第七子管段的进气端与所述管路主体的出气端连通。

8.根据权利要求6所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述喷嘴包括中心气道和边缘气道，所述中心气道位于所述喷嘴的中心，且沿所述喷嘴的轴向延伸，所述边缘气道环绕所述中心气道设置；

所述气路连接件设有两个所述第一通道，用于单独连通所述中心气道和所述边缘气道；

所述进气管路和所述转接管数量均为两组，所述转接块中设有两个所述第二通道，两个所述第二通道分别与两个所述进气管路连通；每组所述进气管路和转接管分别与一个所述第一通道和一个所述第二通道连通。

9.根据权利要求8所述的半导体工艺腔室，其特征在于，一个所述第一通道包括位于所述气路连接件的轴线位置的主气道，另一个所述第一通道包括环绕所述主气道外侧的环形匀气道，且所述主气道和所述环形匀气道互不连通；

所述主气道的进气端和所述环形匀气道的进气端分别与两组所述转接管的出气端连通；

所述主气道的出气端和所述环形匀气道的出气端分别与所述中心气道和所述边缘气道连通。

10.根据权利要求9所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述进气装置还包括观察结构，所述主气道沿轴向贯穿所述气路连接件，所述观察结构设置于所述气路连接件上表面，且盖设于所述主气道的端口上。