[发明专利]一种p型锌钴复合氧化物半导体薄膜的原子层沉积方法

权利要求书

1.一种p型锌钴复合氧化物半导体薄膜的原子层沉积方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、对衬底进行预处理，打开ALD腔体，将清洗完毕的衬底放置于反应腔中，腔体真空抽至0hPa；

S2、将腔体的沉积温度加热至100-175℃开始后续的沉积过程；

S3、沉积过程：

S3.1、锌前驱体脉冲0.1～1s，高纯氮气吹扫5s，共反应物脉冲0.1～1s，高纯氮气吹扫5s，沉积氧化锌；

S3.2、钴前驱体脉冲0.1～1s，高纯氮气吹扫5s，共反应物脉冲1～10s，高纯氮气吹扫5s，沉积四氧化三钴；

S3.3、重复步骤S3.2至5-10次，使氧化锌和四氧化三钴沉积圈数比为1:5～10，以此为一个循环；

S3.4、重复循环至总圈数为500～1000圈，制备得到p型锌钴复合氧化物半导体薄膜。

2.根据权利要求1所述的p型锌钴复合氧化物半导体薄膜的原子层沉积方法，其特征在于，所述衬底为p型Si(100)。

3.根据权利要求1所述的p型锌钴复合氧化物半导体薄膜的原子层沉积方法，其特征在于，所述衬底的预处理为分别用丙酮、无水乙醇和去离子水对衬底进行超声清洗十分钟，最后用高纯氮气吹干备用。

4.根据权利要求1所述的p型锌钴复合氧化物半导体薄膜的原子层沉积方法，其特征在于，所述锌前驱体为二乙基锌。

5.根据权利要求1所述的p型锌钴复合氧化物半导体薄膜的原子层沉积方法，其特征在于，步骤3.1中，锌前驱体的脉冲时间为0.1s，共反应物的脉冲时间为0.1s。

6.根据权利要求1所述的p型锌钴复合氧化物半导体薄膜的原子层沉积方法，其特征在于，所述钴前驱体为二羰基环戊二烯基钴。

7.根据权利要求1所述的p型锌钴复合氧化物半导体薄膜的原子层沉积方法，其特征在于，步骤3.2中，钴前驱体的脉冲时间为0.5s，共反应物的脉冲时间为5s。

8.根据权利要求1所述的p型锌钴复合氧化物半导体薄膜的原子层沉积方法，其特征在于，所述共反应物为臭氧。

9.根据权利要求1所述的p型锌钴复合氧化物半导体薄膜的原子层沉积方法，其特征在于，步骤3.3中，氧化锌和四氧化三钴沉积圈数比为1:10。