[发明专利]一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法

说明书

本申请实施例提供了一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法，显示面板包括衬底基板、多个像素单元、第一钝化层和平坦化层；多个像素单元位于衬底基板上且呈矩阵分布，至少一个像素单元包括晶体管和与晶体管连接的像素电极，晶体管包括源漏金属层；第一钝化层位于晶体管远离衬底基板的一侧；平坦化层位于第一钝化层远离晶体管的一侧，平坦化层上设有第一过孔，像素电极通过第一过孔与源漏金属层连接。本申请实施例提供的显示面板、显示装置及显示面板的制作方法，可以降低显影液渗入晶体管的概率，提高显示面板良率及显示效果。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法。

背景技术

本部分提供的仅仅是与本申请相关的背景信息，其并不必然是现有技术。

高精度OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机电致发光显示面板)产品具有显示性能好等优点，因此人们对高精度OLED产品的需求越发广泛。大尺寸OLED技术中，为提升TFT(Thin Film Transisitor，薄膜晶体管)的电容，通常使用具有高介电常数的材料做平坦化层材料，例如使用较为广泛的亚克力有机材料。

相关技术中，由于平坦化层为高介电常数的有机材料，在平坦化层刻蚀形成开孔结构过程中，显影液可能会渗入TFT中的源漏金属层，引起源漏金属层腐蚀，使显示面板内部的电阻变大，显示品质降低。

发明内容

本申请实施例的目的在于提供一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法，以降低显影液渗入晶体管的概率，提高显示面板良率及显示效果。具体技术方案如下：

本申请第一方面的实施例提供了一种显示面板，所述显示面板包括：

衬底基板；

多个像素单元，多个像素单元位于所述衬底基板上且呈矩阵分布，至少一个像素单元包括晶体管和与所述晶体管连接的像素电极，所述晶体管包括源漏金属层；

第一钝化层，所述第一钝化层位于所述晶体管远离所述衬底基板的一侧；

平坦化层，所述平坦化层位于所述第一钝化层远离所述晶体管的一侧，所述平坦化层上设有第一过孔，所述像素电极通过所述第一过孔与所述源漏金属层连接。

一些实施例中，所述第一钝化层的材料包括聚二甲基硅氧烷PDMS。

一些实施例中，所述显示面板还包括位于所述第一钝化层远离所述晶体管的一侧的第二钝化层。

一些实施例中，所述显示面板还包括位于所述第二钝化层远离所述晶体管的一侧的第三钝化层。

一些实施例中，所述第一钝化层的材料包括氧化硅、氮氧化硅、氮化硅中的至少一种；所述第二钝化层的材料包括氧化硅、氮氧化硅、氮化硅中的至少一种；所述第三钝化层的材料包括氧化硅、氮氧化硅、氮化硅中的至少一种。

一些实施例中，所述第一钝化层、所述第二钝化层和所述第三钝化层的材料均不同。

一些实施例中，所述第一钝化层的厚度为至所述第二钝化层的厚度为至所述第三钝化层的厚度为至

一些实施例中，所述第一过孔包括设于所述平坦化层的第一孔段，及设于所述第一钝化层及所述第二钝化层的第二孔段，所述第一孔段的孔壁在所述衬底基板上的投影位于所述第二孔段的孔壁在所述衬底基板上的投影的外侧。

一些实施例中，所述晶体管还包括位于所述衬底基板的一侧且依次设置的有源层、第一栅极绝缘层、栅极金属层、第二栅极绝缘层和层间电介质层，所述栅极金属层包括栅极；所述源漏金属层包括源极和漏极，所述像素电极通过所述第一过孔与所述漏极连接，所述源极和所述漏极与所述有源层过孔连接。

本申请第二方面的实施例提供了一种显示面板的制作方法，包括：