[发明专利]一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法在审
申请号: | 202210404843.2 | 申请日: | 2022-04-18 |
公开(公告)号: | CN114628414A | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
发明(设计)人: | 程磊磊;刘杰;王海涛;周斌 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 何家鹏;孟维娜 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 显示装置 制作方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:
衬底基板;
多个像素单元,多个像素单元位于所述衬底基板上且呈矩阵分布,至少一个像素单元包括晶体管和与所述晶体管连接的像素电极,所述晶体管包括源漏金属层;
第一钝化层,所述第一钝化层位于所述晶体管远离所述衬底基板的一侧;
平坦化层,所述平坦化层位于所述第一钝化层远离所述晶体管的一侧,所述平坦化层上设有第一过孔,所述像素电极通过所述第一过孔与所述源漏金属层连接。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一钝化层的材料包括聚二甲基硅氧烷PDMS。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括位于所述第一钝化层远离所述晶体管的一侧的第二钝化层。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括位于所述第二钝化层远离所述晶体管的一侧的第三钝化层。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第一钝化层的材料包括氧化硅、氮氧化硅、氮化硅中的至少一种;
所述第二钝化层的材料包括氧化硅、氮氧化硅、氮化硅中的至少一种;
所述第三钝化层的材料包括氧化硅、氮氧化硅、氮化硅中的至少一种。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第一钝化层、所述第二钝化层和所述第三钝化层的材料均不同。
7.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第一钝化层的厚度为至所述第二钝化层的厚度为至所述第三钝化层的厚度为至
8.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一过孔包括设于所述平坦化层的第一孔段,及设于所述第一钝化层及所述第二钝化层的第二孔段,所述第一孔段的孔壁在所述衬底基板上的投影位于所述第二孔段的孔壁在所述衬底基板上的投影的外侧。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述晶体管还包括位于所述衬底基板的一侧且依次设置的有源层、第一栅极绝缘层、栅极金属层、第二栅极绝缘层和层间电介质层,所述栅极金属层包括栅极;
所述源漏金属层包括源极和漏极,所述像素电极通过所述第一过孔与所述漏极连接,所述源极和所述漏极与所述有源层过孔连接。
10.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板一侧形成呈矩阵分布的多个像素单元,至少一个像素单元包括晶体管和与所述晶体管连接的像素电极,所述晶体管包括源漏金属层;
在所述晶体管远离所述衬底基板的一侧形成第一钝化层;
在所述第一钝化层远离所述晶体管的一侧形成平坦化层;
在所述平坦化层上形成第一过孔,所述像素电极通过所述第一过孔与所述源漏金属层连接。
11.根据权利要求10所述的制作方法,其特征在于,所述第一钝化层和所述平坦化层的材料包括聚二甲基硅氧烷PDMS;在所述平坦化层上形成第一过孔的步骤,包括:
提供一第一掩膜版,通过所述第一掩膜版对所述平坦化层进行第一次曝光;
提供一第二掩膜版,通过所述第二掩膜版对所述第一钝化层进行第二次曝光;
对所述第一钝化层和所述平坦化层进行干法刻蚀,形成所述第一过孔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的