[发明专利]一种显示基板及其制作方法和显示装置在审
申请号: | 202210373906.2 | 申请日: | 2022-04-11 |
公开(公告)号: | CN114823724A | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 李栋;宋尊庆;张慧娟;刘政 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 顾春天 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制作方法 显示装置 | ||
本发明提供一种显示基板及其制作方法和显示装置。显示基板包括衬底以及设置于所述衬底上的驱动电路层,所述驱动电路层包括多个薄膜晶体管,所述多个薄膜晶体管包括目标晶体管,所述目标晶体管包括第一栅极层、有源层和源漏金属层,其中,所述有源层包括层叠设置的低温多晶硅层和非晶硅层,所述非晶硅层位于所述低温多晶硅层和所述源漏金属层之间,且所述源漏金属层与所述非晶硅层接触。本发明实施例能够减少显示基板的工艺步骤,有助于降低显示基板的制作成本,提高显示基板的良品率。
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板及其制作方法和显示装置。
背景技术
LTPS(低温多晶硅)显示装置具有低成本、驱动电流大等优点而被广泛应用,但是,LTPS显示装置的薄膜晶体管的漏电流较高,这可能导致存储电容保存的电荷无法有效的关死,对显示效果造成不利影响。相关技术中,可以通过几个氧化物晶体管取代LTPS背板中的几个晶体管,但是这种方式会增加额外的工艺,一般来说,通常会增加数道图形化工艺,导致制作成本显著增加,同时,工艺步骤的增加也导致产品不良的概率增加,由此可见,现有显示基板的成本较高且良品率降低。
发明内容
本发明实施例提供一种显示基板及其制作方法和显示装置,以解决现有显示基板的成本较高且良品率降低的问题。
为解决上述问题,本发明是这样实现的:
第一方面,本发明实施例提供了一种显示基板,包括衬底以及设置于所述衬底上的驱动电路层,所述驱动电路层包括多个薄膜晶体管,所述多个薄膜晶体管包括目标晶体管,所述目标晶体管包括第一栅极层、有源层和源漏金属层,其中,所述有源层包括层叠设置的低温多晶硅层和非晶硅层,所述非晶硅层位于所述低温多晶硅层和所述源漏金属层之间,且所述源漏金属层与所述非晶硅层接触。
在一些实施例中,所述目标晶体管还包括第二栅极层,所述第一栅极层的部分形成所述目标晶体管的第一栅极,所述第二栅极层的部分形成所述目标晶体管的第二栅极;
其中,所述第一栅极层和所述源漏金属层位于所述有源层的同侧,所述第二栅极层位于所述有源层远离所述第一栅极层的一侧。
在一些实施例中,所述目标晶体管的第一栅极与固定信号端连接以获取固定正电位的第一控制信号。
在一些实施例中,所述多个薄膜晶体管包括驱动晶体管,所述目标晶体管包括所述多个薄膜晶体管中除所述驱动晶体管之外的薄膜晶体管。
在一些实施例中,所述目标晶体管为所述多个薄膜晶体管中的补偿晶体管和/或复位晶体管。
第二方面,本发明实施例提供了一种显示装置,包括第一方面中任一项所述的显示基板。
第三方面,本发明实施例提供了一种显示基板的制作方法,包括以下步骤:
提供一衬底;
在所述衬底上制作有源层,其中,所述有源层包括沿远离所述衬底方向层叠制作的低温多晶硅层和非晶硅层,所述低温多晶硅层在所述衬底上的正投影覆盖所述非晶硅层在所述衬底上的正投影;
在所述有源层远离所述衬底的一侧制作第一栅极层和源漏金属层,其中,至少部分所述源漏金属层与所述非晶硅层接触。
在一些实施例中,所述在所述衬底上制作有源层之前,所述方法还包括:
在所述衬底上制作第二栅极层,其中,所述第一栅极层的部分形成目标晶体管的第一栅极,所述第二栅极层的部分形成所述目标晶体管的第二栅极,所述目标晶体管的第一栅极与固定信号端连接以获取固定正电位的第一控制信号。
在一些实施例中,所述在所述衬底上制作有源层,包括:
在所述衬底上沉积低温多晶硅材料;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的