[发明专利]存储器装置及其形成方法

说明书

一种形成存储器装置的方法包括以下操作。在衬底上方的第一介电层内形成第一导电插塞。执行处理工艺以将所述第一导电插塞的一部分转变成缓冲层，并且所述缓冲层覆盖在所述第一导电插塞的剩余部分上方。在所述缓冲层上方依序形成相变层及顶部电极。形成第二介电层以包封所述顶部电极及下伏的所述相变层。在所述第二介电层内形成第二导电插塞，且使所述第二导电插塞实体接触所述顶部电极。在所述缓冲层内形成丝状底部电极。

技术领域

本发明实施例涉及存储器装置及其形成方法。

背景技术

举例来说，存储器装置用于包括收音机、电视、手机及个人计算设备在内的电子应用的集成电路中。相变随机存取存储器(PCRAM)是一种非易失性随机存取计算机存储器形式。PCRAM技术基于一种在正常环境温度下可以是非晶形或晶形的材料。当材料处于非晶态时，材料具有高电阻。当材料处于晶态时，材料具有低电阻。PCRAM装置具有多种操作及工程优势，包括高速、低功耗、非易失性、高密度及低成本。虽然现有的PCRAM一般来说足以满足其预期目的，但随着装置规模的不断缩小，其并非在所有方面都是完全令人满意的。

发明内容

根据本公开的一些实施例，一种形成存储器装置的方法包括以下操作。在衬底上方的第一介电层内形成第一导电插塞。执行处理工艺以将所述第一导电插塞的一部分转变成缓冲层，并且所述缓冲层覆盖在所述第一导电插塞的剩余部分上方。在所述缓冲层上方依序形成相变层及顶部电极。形成第二介电层以包封所述顶部电极及下伏的所述相变层。在所述第二介电层内形成第二导电插塞，且使所述第二导电插塞实体接触所述顶部电极。在所述缓冲层内形成丝状底部电极。

根据本公开的其他实施例，一种存储器装置包括：第一导电插塞，设置在衬底上方的导线上；相变层，设置在所述第一导电插塞上方；缓冲层，设置在所述第一导电插塞与所述相变层之间；丝状底部电极，设置在所述缓冲层内并与所述第一导电插塞及所述相变层实体接触；顶部电极，设置在所述相变层上方；以及第二导电插塞，设置在所述顶部电极上方。

根据本公开的其他一些实施例，一种存储器装置包括：第一导线，设置在衬底上方；相变层，设置在所述第一导线上方；选择器层，设置在所述相变层上方；第二导线，设置在所述选择器层上方；缓冲层，设置在所述第一导线与所述相变层之间；丝状底部电极，存在于所述缓冲层内；以及顶部电极，设置在所述选择器层与所述第二导线之间。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的各个方面。应注意，根据本产业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为使论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的关键尺寸。

图1示出根据本公开一些实施例的存储器装置的剖视图。

图2示出根据本公开一些实施例的存储器装置的电路图。

图3A到图3F示出根据本公开一些实施例的形成存储器堆叠的方法的剖视图。

图4A到图4F示出根据本公开替代实施例的形成存储器堆叠的方法的剖视图。

图5示出根据本公开一些实施例的形成存储器装置的方法的流程图。

图6示出根据本公开其他实施例的存储器装置的剖视图。

图7示出根据本公开其他实施例的存储器装置的电路图。

图8A到图8F示出根据本公开其他实施例的形成存储器堆叠的方法的剖视图。

图9A到图9F示出根据本公开其他实施例的形成存储器堆叠的方法的剖视图。

图10示出根据本公开其他实施例的形成存储器装置的方法的流程图。

图11示出根据本公开其他实施例的存储器堆叠的剖视图。

图12示出根据本公开其他实施例的形成存储器装置的方法的流程图。