[发明专利]存储器装置及其形成方法

权利要求书

1.一种形成存储器装置的方法，包括：

在衬底上方的第一介电层内形成第一导电插塞；

执行处理工艺以将所述第一导电插塞的一部分转变成缓冲层，所述缓冲层覆盖在所述第一导电插塞的剩余部分上方；

在所述缓冲层上方依序形成相变层及顶部电极；

形成第二介电层以包封所述顶部电极及下伏的所述相变层；

在所述第二介电层内形成第二导电插塞，所述第二导电插塞实体接触所述顶部电极；以及

在所述缓冲层内形成丝状底部电极。

2.根据权利要求1所述的形成存储器装置的方法，其中在所述缓冲层内形成所述丝状底部电极包括向所述存储器装置施加0.8V到2V的电压。

3.根据权利要求1所述的形成存储器装置的方法，其中在所述缓冲层内形成所述丝状底部电极包括在200℃到500℃的温度下执行加热操作。

4.根据权利要求1所述的形成存储器装置的方法，其中在所述第一介电层内形成所述第一导电插塞包括：

在所述第一介电层中形成第一开口；

在所述第一介电层上方形成填充所述第一开口的第一导电材料；以及

利用所述第一介电层作为蚀刻掩模，对所述第一导电材料执行平坦化工艺，以在所述第一开口中形成所述第一导电插塞。

5.根据权利要求4所述的形成存储器装置的方法，其中所述第一导电插塞的顶表面实质上与所述第一介电层的顶表面共面。

6.根据权利要求4所述的形成存储器装置的方法，还包括对所述第一介电层执行回蚀工艺，直到所述第一导电插塞的顶表面高于所述第一介电层的顶表面。

7.根据权利要求1所述的形成存储器装置的方法，其中所述处理工艺包括湿氧化工艺或氧退火工艺。

8.根据权利要求1所述的形成存储器装置的方法，其中所述丝状底部电极包括氧空位。

9.一种存储器装置，包括：

第一导电插塞，设置在衬底上方的导线上；

相变层，设置在所述第一导电插塞上方；

缓冲层，设置在所述第一导电插塞与所述相变层之间；

丝状底部电极，设置在所述缓冲层内并与所述第一导电插塞及所述相变层实体接触；

顶部电极，设置在所述相变层上方；以及

第二导电插塞，设置在所述顶部电极上方。

10.一种存储器装置，包括：

第一导线，设置在衬底上方并在第一方向上延伸；

相变层，设置在所述第一导线上方；

选择器层，设置在所述相变层上方；

第二导线，设置在所述选择器层上方，并在不同于所述第一方向的第二方向上延伸；

缓冲层，设置在所述第一导线与所述相变层之间；

丝状底部电极，存在于所述缓冲层内；以及

顶部电极，设置在所述选择器层与所述第二导线之间。