[发明专利]氮化镓器件及其制备方法

权利要求书

1.一种氮化镓器件，其特征在于，包括：

衬底；

缓冲层，所述缓冲层设置在所述衬底的一侧；

沟道层，所述沟道层设置在所述缓冲层远离所述衬底的表面上；

势垒层，所述势垒层设置在所述沟道层远离所述衬底的表面上；

第一钝化层，所述第一钝化层覆盖所述势垒层远离所述衬底的表面、所述沟道层的边缘侧面；

至少两层薄膜场板，至少两层所述薄膜场板设置在所述第一钝化层远离所述衬底的一侧，所述薄膜场板的电阻率为10⁴-10¹¹欧姆·厘米；

至少一层第二钝化层，每层所述第二钝化层设置在两层所述薄膜场板之间；

第三钝化层，所述第三钝化层覆盖最远离所述衬底的一层所述薄膜场板远离所述衬底的表面、至少两层薄膜场板的边缘侧面、至少一层所述第二钝化层的边缘侧面；

源极，所述源极通过第一通孔与所述沟道层接触，所述第一通孔贯穿所述第三钝化层、至少两层所述薄膜场板、所述第二钝化层、所述第一钝化层和所述势垒层，并延伸至所述沟道层；

漏极，所述漏极通过第二通孔与所述沟道层接触，所述第二通孔贯穿所述第三钝化层、至少两层所述薄膜场板、所述第二钝化层、所述第一钝化层和所述势垒层，并延伸至所述沟道层；

栅极，所述栅极设置在第三通孔中，所述第三通孔贯穿所述第三钝化层、至少两层所述薄膜场板和所述第二钝化层。

2.根据权利要求1所述的氮化镓器件，其特征在于，包括第一薄膜场板和第二薄膜场板，所述第一薄膜场板设置在所述第一钝化层远离所述衬底的表面上，所述第二钝化层设置在所述第一薄膜场板远离所述衬底的表面上，所述第二薄膜场板设置在所述第二钝化层远离所述衬底的表面上，所述第三钝化层覆盖所述第二薄膜场板远离所述衬底的表面、所述第二薄膜场板的边缘侧面、所述第一薄膜场板的边缘侧面、所述第二钝化层的边缘侧面。

3.根据权利要求1或2所述的氮化镓器件，其特征在于，进一步包括过渡层，所述过渡层设置在所述衬底和所述缓冲层之间。

4.根据权利要求1或2所述的氮化镓器件，其特征在于，所述薄膜场板的材质包括半绝缘多晶硅、AlN和Ga₂O₃中的至少之一。

5.根据权利要求1或2所述的氮化镓器件，其特征在于，每层所述薄膜场板的厚度为10nm-1000nm。

6.根据权利要求1或2所述的氮化镓器件，其特征在于，所述沟道层的材质为GaN，所述势垒层的材质为AlGaN。

7.根据权利要求1或2所述的氮化镓器件，其特征在于，所述源极、漏极和栅极的材质各自独立的包括Ti、Au、Cu、Ni、Al、Cr中的至少之一。

8.根据权利要求1或2所述的氮化镓器件，其特征在于，所述第一钝化层、所述第二钝化层和所述第三钝化层的材质各自独立的包括氧化硅和氮化硅中的至少之一。