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[发明专利]边云协同的基线核查和配置更新方法、系统及存储介质-CN202210334442.4有效
发明人：王祥;武占侠;吴在军;于汪洋 -专利权人：深圳市国电科技通信有限公司;深圳智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H04L41/0816 文献下载
摘要：本发明公开了一种边云协同的基线核查和配置更新方法、系统及存储介质，所述方法包括：接收云端服务器发送的基线配置，其中，基线配置由云端服务器根据终端设备的身份信息生成；获取终端设备的运行状态信息，在监测到运行状态信息与基线配置不符时，向云端服务器发送告警信息，以使云端服务器根据告警信息和运行状态信息更新基线配置；接收云端服务器发送的更新后的基线配置。本发明的核查和配置更新方法，通过云端服务器根据告警信息和终端设备的运行状态信息更新基线配置，能够使基线配置更加精确，保障终端设备安全运行。
协同基线核查配置更新方法系统存储介质

[发明专利]一种基于阈值分割聚类的低压台区拓扑识别方法-CN202211328594.X有效
发明人：王祥;洪海敏;占兆武;靳飞;唐远洋 -专利权人：深圳市国电科技通信有限公司;深圳智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H02J3/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于阈值分割聚类的低压台区拓扑识别方法。其中，低压台区拓扑识别方法包括：根据终端单元采集的电压数据，确定台区相关矩阵；其中，台区相关矩阵中的元素是对任意两个终端单元采集的电压数据进行相关性量化计算而得到的；台区相关矩阵对应有元素均值、元素最大值；基于元素最大值、元素均值对台区相关矩阵进行均值化处理，得到台区均值矩阵；利用指定阈值对台区均值矩阵中的元素进行二值化处理，得到台区邻接矩阵；通过分割台区邻接矩阵转换得到的图，确定终端单元之间的拓扑关系。本方法基于阈值分割的方式对台区拓扑关系进行确定，流程简便，且均值化处理使得阈值适用范围更大。
一种基于阈值分割压台拓扑识别方法

[发明专利]模型生成方法、模型生成装置、计算机设备和存储介质-CN202310877924.9在审
发明人：曾晶;李魁雨;庞振江;孙永明;纪清;洪海敏;刘国川 -专利权人：深圳市国电科技通信有限公司;深圳智芯微电子科技有限公司
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G06T17/00 文献下载
摘要：本申请公开一种模型生成方法、模型生成装置、计算机设备及非易失性计算机可读存储介质。方法包括获取场景描述信息，所述场景描述信息至少包括环境信息、场景中的设备信息和布局信息；获取所述场景描述信息在预设的模型库中对应的目标模型文件，所述模型库中包括多个模型文件，多个所述模型文件根据预设场景中存在的物理实体生成；基于预设的大语言模型解析所述场景描述信息，并结合所述目标模型文件构建三维场景模型。可实现3D模型的通用，并且使用大语言模型解析场景描述即可快速实现三维场景的构建，不仅省时省力，而且人员只需进行场景描述即可，对开发人员的要求较低，减少了开发成本。
模型生成方法装置计算机设备存储介质

[发明专利]氮化镓器件-CN202311156996.0在审
发明人：文豪;庞振江;洪海敏;周芝梅;温雷;顾才鑫;廖刚 -专利权人： 深圳智芯微电子科技有限公司;深圳市国电科技通信有限公司
申请日： 2023-09-06 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了氮化镓器件。该氮化镓器件包括：第一介质层设置在基板的一侧；第一钝化层设置在第一介质层远离基板的一侧，第一钝化层具有第一通孔；栅极填充在第一通孔中，多层第二钝化层均具有第二通孔，相邻两个第二通孔连通且在基板上的正投影有部分交叠区域，第二通孔与第一通孔连通，且在基板上的正投影与第一通孔在基板上的正投影有部分交叠区域；多层场板分别填充在第二通孔，以及设置在与第一钝化层距离最远的第二钝化层远离基板的表面上，与第一钝化层接触设置的第二钝化层中的第二通孔中填充的场板与栅极接触设置。通过设置多层场板，可以降低氮化镓器件漏极附近的电场峰值，提高氮化镓器件的击穿电压。
氮化器件

[发明专利]级联型GaN HEMT封装器件及其制备方法-CN202311140342.9在审
发明人：文豪;庞振江;洪海敏;周芝梅;温雷;黎杰;卜小松;廖刚 -专利权人： 深圳智芯微电子科技有限公司;深圳市国电科技通信有限公司
申请日： 2023-09-05 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种级联型GaN HEMT封装器件及其制备方法，器件包括：框架；倒装设置于框架上的GaN HEMT，其正面包括与框架源极相连的第一栅极、与框架漏极相连的第一漏极，背面包括第一源极；背面与GaN HEMT背面贴合的MOSFET，其背面包括与第一源极接触相连的第二漏极，正面包括与框架栅极相连的第二栅极、与框架源极相连的第二源极。本发明公开的方案，将GaN HEMT倒装于框架上，在GaN HEMT背面设置第一源极，MOSFET背面贴合在GaN HEMT背面，MOSFET背面的第二漏极与GaN HEMT背面的第一源极接触相连，以降低级联型封装器件封装面积和杂散电感，并提高封装器件散热能力。
级联 gan hemt 封装器件及其制备方法

[发明专利]芯片封装结构-CN202311148453.4在审
发明人：黎杰;庞振江;洪海敏;周芝梅;温雷;卜小松;黄首杰 -专利权人： 深圳智芯微电子科技有限公司;深圳市国电科技通信有限公司
申请日： 2023-09-06 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片封装结构，包括：第一芯片和第二芯片；封装框架，封装框架具有基岛和多个引脚，第二芯片设于基岛，多个引脚分别与相应的第一芯片和第二芯片连接；第一电连接件，第一电连接件与第一芯片、第二芯片、多个引脚中的一个均连接；塑封部，塑封部包覆于第一芯片、第二芯片、封装框架和第一电连接件，且基岛的部分和第一电连接件的部分外露于塑封部。由此，通过基岛的部分和第一电连接件的部分外露于塑封部，能够提升芯片封装结构的散热能力，可以提升芯片封装结构散热效率，可以使芯片封装结构满足高功率密度器件散热要求，提升第一芯片和第二芯片的工作可靠性。
芯片封装结构

[发明专利]交流输入过压保护电路、电源模组以及电力采集终端-CN202310595883.4在审
发明人：梁智斌;庞振江;洪海敏;潘晓冬;黄康生 -专利权人：深圳市国电科技通信有限公司;深圳智芯微电子科技有限公司
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H02H3/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种交流输入过压保护电路、电源模组以及电力采集终端，电路用于电源模组，电源模组包括主控IC和光耦，电路包括：整流子电路，整流子电路的交流端连接电网，整流子电路用于将电网提供的交流电整流为直流电；过压保护子电路，包括分压单元、稳压单元和开关单元，分压单元的输入端与整流子电路的直流端连接，分压单元的输出端与稳压单元的输入端连接，稳压单元的输出端与开关单元的输入端连接，开关单元的输出端连接主控IC的供电引脚或者光耦的反馈引脚，分压单元用于对直流电进行分压处理，稳压单元使电源模组进入保护状态。该电路结构简单，在实现过压保护的同时实现电源模组的高功率密度和小型化。
交流输入保护电路电源模组以及电力采集终端

[发明专利]用于测试通信发射机性能的装置-CN202110815029.5有效
发明人：占兆武;王祥;武占侠;李龙 -专利权人：深圳市国电科技通信有限公司;深圳智芯微电子科技有限公司
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H04B17/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于测试通信发射机性能的装置。本发明通过在装置中设置控制台，用于产生新空口NR测试信号；射频拉远集线设备，与控制台通信，用于在接收到NR测试信号的情况下，将NR测试信号转换为数字信号；射频拉远设备，包括待测射频接口，射频拉远设备与射频拉远集线设备通信，用于在接收到数字信号的情况下，将数字信号转换为模拟信号，并通过待测射频接口输出模拟信号；信号分析设备，与待测射频接口通信，用于接收模拟信号，并根据模拟信号确定性能测试结果。通过结合市面上较常见的控制台和信号分析设备对发射机的射频接口进行测试，避免了使用整套专用测试设备，降低了测试成本。
用于测试通信发射机性能装置

[发明专利]芯片封装结构-CN202310847675.9在审
发明人：黄首杰;庞振江;洪海敏;周芝梅;温雷;卜小松 -专利权人： 深圳智芯微电子科技有限公司;深圳市国电科技通信有限公司
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明提供一种芯片封装结构，包括：引线框架，引线框架包括第一基岛、第二基岛和第三基岛；固定在第一基岛上的控制芯片；固定在第二基岛上的MOSFET芯片；固定在第三基岛上的HEMT芯片，MOSFET芯片与HEMT芯片电学连接；磁珠，控制芯片的第一引脚和MOSFET芯片的栅极均与磁珠电学连接；位于引线框架的一侧表面的塑封层，塑封层包封控制芯片、MOSFET芯片、HEMT芯片与磁珠。在芯片封装结构内部设置磁珠降低了HEMT芯片发生振荡的风险，提高了HEMT芯片的可靠性。
芯片封装结构

[发明专利]用于评价台区的方法及装置-CN202111123893.5有效
发明人：王祥;马胜国;武占侠;魏本海;刘国川;张笑岩;苏明杰 -专利权人：深圳市国电科技通信有限公司;深圳智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H02J3/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种用于评价台区的方法及装置，属于电力技术领域。上述用于评价台区的方法包括：获取预设评价周期内台区的原始电力数据；根据原始电力数据得到台区潜在属性；确定台区潜在属性对应的标签类型，其中标签类型包括正面标签和负面标签；根据台区潜在属性的比重和标签类型的频率得到台区的画像，以对台区进行评价。采用本发明的方案可以提高台区评价的精准度。
用于评价方法装置

[发明专利]电力系统三相不平衡的能效监控系统及方法-CN202310753165.5在审
发明人：张英;庞振江;洪海敏;孙永明;刘国川;曾晶 -专利权人：深圳市国电科技通信有限公司;深圳智芯微电子科技有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H02J3/26 文献下载
摘要：本说明书涉及一种电力系统三相不平衡的能效监控系统及方法。其中，能效监控系统包括：数据接入模块，用于获取电力设备用能数据；电力设备用能数据包括第一时间段内的第一用能数据和第二时间段内的第二用能数据。数据计算模块，用于基于第一用能数据和第二用能数据在指定维度上进行聚合计算，得到目标不平衡数据；目标不平衡数据用于表征电力系统在指定维度上的三相不平衡情况。数据应用模块，用于将目标不平衡数据与指定维度对应的维度预警阈值进行比较，并根据比较结果进行电力质量情况的提醒。本说明书实施例能够单独获取电力设备用能数据，并基于电力设备用能数据在不同维度继续聚合计算，从而进行电力质量情况的预警提醒。
电力系统三相不平衡能效监控系统方法

[发明专利]GaN器件及其制备方法-CN202310577197.4有效
发明人：温雷;庞振江;洪海敏;廖刚;文豪;顾才鑫 -专利权人： 深圳智芯微电子科技有限公司;深圳市国电科技通信有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种GaN器件及其制备方法。GaN器件包括由下到上依次层叠设置的衬底、AlGaN/GaN异质结外延层、栅电极、介质层和钝化层，GaN器件还包括栅场板和连接栅场板的金属层，栅电极和栅场板穿设在介质层中，金属层贯穿钝化层，栅场板包括第一栅场板、第二栅场板、第三栅场板和第四栅场板。这样降低了漏极附近的电场峰值，提高GaN器件的击穿电压，避免GaN器件在高功率和高频条件下的失效，既提高了器件的耐压同时对器件的高频特性影响不大，工艺简单，重复性好。
gan 器件及其制备方法

[发明专利]多模通信设备检测系统、方法和存储介质-CN202310811086.5在审
发明人：刘志辉;赵金玉;逄林;宋大龙 -专利权人： 深圳智芯微电子科技有限公司;深圳市国电科技通信有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H04B3/46 文献下载
摘要：本说明书实施方式提供了一种多模通信设备检测系统、方法和存储介质。所述检测系统包括检测基板以及与检测基板连接的陪测基板和检测控制单元；检测基板连接有被测设备，陪测基板连接有陪测设备；检测控制单元用于，根据检测基板连接的被测设备的被测设备型号信息在配置文件中进行匹配，确定至少包括组网检测项的检测方案，并向检测基板下发检测方案；检测基板用于，根据被测设备型号信息确定被测设备的被测设备角色信息，并根据被测设备角色信息和组网检测项，控制被测设备与陪测设备以至少一种通信模式进行组网，得到被测设备的主从通信组网状态，并根据主从通信组网状态确定被测设备的组网检测结果。如此，可以提高多模通信设备的检测效率。
通信设备检测系统方法存储介质

[发明专利]GaN器件结构和制备方法-CN202310581549.3在审
发明人：庞振江;洪海敏;文豪;葛俊雄;温雷;顾才鑫;廖刚 -专利权人： 深圳智芯微电子科技有限公司;深圳市国电科技通信有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请公开了一种GaN器件结构和制备方法。GaN器件结构包括衬底、GaN器件和电阻件，GaN器件设置在衬底上，GaN器件连接Si器件，Si器件用于控制GaN器件，电阻件设置在衬底上，电阻件与Si器件并联。在本申请实施方式的GaN器件结构中，GaN器件和电阻件可集成在一个衬底上，简化封装流程，同时将电阻件与Si器件并联，在GaN器件结构关断情况下，Si器件并联电阻件对源漏泄漏电流IDSS进行泄流，避免Si器件承受高压下的IDSS，甚至超过器件承受水平造成Si器件损坏，从而保护Si器件，提高器件可靠性。
gan 器件结构制备方法

[发明专利]射频能量收集系统-CN202310452159.6在审
发明人：胡江;庞振江;洪海敏;潘晓冬;王道远;刘鹰 -专利权人：深圳市国电科技通信有限公司;深圳智芯微电子科技有限公司
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H02J50/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种射频能量收集系统，系统包括：天线、阻抗匹配电路、倍压整流电路和储能模块，天线、阻抗匹配电路、倍压整流电路和储能模块依次连接；系统还包括：温度补偿电路，温度补偿电路与倍压整流电路连接，用于获取环境温度，并根据环境温度补偿倍压整流电路的输入阻抗漂移。本发明在阻抗匹配电路与倍压整流电路之间接入一个温度补偿电路，自动补偿高温或低温时倍压整流电路的输入阻抗漂移，提高了射频能量收集系统的综合能量转换效率。
射频能量收集系统

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