[发明专利]晶圆键合结构及其形成方法以及半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 202210317438.7 | 申请日： | 2022-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN114678340A | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 魏丹珠;席韡;刘奇斌 | 申请（专利权）人： | 上海积塔半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/492 | 分类号： | H01L23/492;H01L21/18;H01L21/60 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 林青中 |
| 地址： | 200135 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆键合 结构 及其 形成 方法 以及 半导体器件 制备 | ||
1.一种晶圆键合结构，其特征在于，包括依次层叠的键合载片、介质层、键合胶层以及待键合晶圆；
其中，所述键合载片的材质与所述待键合晶圆的材质相同，所述介质层的材料与所述键合载片以及所述待键合晶圆的材料的折射率不同。
2.如权利要求1所述的晶圆键合结构，其特征在于，所述键合载片的材料与所述待键合晶圆的材料选自碳化硅、硅以及氮化镓中的至少一种。
3.如权利要求2所述的晶圆键合结构，其特征在于，所述键合载片的材料和所述待键合晶圆的材料均为碳化硅。
4.如权利要求1所述的晶圆键合结构，其特征在于，所述介质层的材料为二氧化硅或金属。
5.如权利要求4所述的晶圆键合结构，其特征在于，所述金属为钨、铝或铜，或为钨、铝与铜中至少两种金属形成的合金。
6.如权利要求1所述的晶圆键合结构，其特征在于，所述介质层的厚度为0.1μm～10μm。
7.如权利要求6所述的晶圆键合结构，其特征在于，所述介质层的厚度为0.5μm～5μm。
8.如权利要求1所述的晶圆键合结构，其特征在于，所述键合胶层的厚度为1μm～80μm。
9.一种如权利要求1～8任一项所述的晶圆键合结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S10：在所述键合载片上形成所述介质层；
步骤S20：在所述介质层上形成所述键合胶层；
步骤S30：将所述待键合晶圆置于所述键合胶层上。
10.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括对权利要求1～8任一项所述的晶圆键合结构进行加工。
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