[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，包括：

形成一第一鳍状结构与一第二鳍状结构于一基板上，其中该第一鳍状结构与该第二鳍状结构的每一者包括交错堆叠的多个第一半导体层与多个第二半导体层；

形成一第一遮罩结构以覆盖该第二鳍状结构，其中该第一遮罩结构包括一第一介电层与一第二介电层位于该第一介电层上，且该第一介电层与该第二介电层的材料不同；

形成一第一源极/漏极结构于该第一鳍状结构中；

移除该第一遮罩结构；

形成一第二源极/漏极结构于该第二鳍状结构中；

移除该第一鳍状结构与该第二鳍状结构的每一者的所述第一半导体层，以自该第一鳍状结构的所述第二半导体层形成多个第一纳米结构，并自该第二鳍状结构的所述第二半导体层形成多个第二纳米结构；以及

形成一栅极堆叠于所述第一纳米结构与所述第二纳米结构周围。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中形成该第一遮罩结构的步骤包括：

依序形成该第一介电层与该第二介电层于该第一鳍状结构与该第二鳍状结构上；以及

蚀刻该第一鳍状结构上的该第一介电层与该第二介电层的多个第一部分以露出该第一鳍状结构，并保留该第一介电层与该第二介电层的多个第二部分于该第二鳍状结构上以形成该第一遮罩结构。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，还包括：

蚀刻该第一鳍状结构与该第二鳍状结构以分别形成一第一源极/漏极凹陷与一第二源极/漏极凹陷，其中该第一介电层与该第二介电层部分填入该第一源极/漏极凹陷与该第二源极/漏极凹陷。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，还包括：

将一填充层超填该第一源极/漏极凹陷与该第二源极/漏极凹陷；

形成一介电遮罩于该填充层上并覆盖该第二鳍状结构；

采用该介电遮罩并蚀刻该填充层，直到露出该第一鳍状结构上的该第二介电层的该第一部分；以及

在蚀刻该第一鳍状结构上的该第一介电层与该第二介电层的所述第一部分时，蚀刻该介电遮罩。

5.一种半导体结构的形成方法，包括：

交错堆叠多个第一半导体层与多个第二半导体层于一基板上；

图案化所述第一半导体层与所述第二半导体层成一第一鳍状结构于该基板的一第一区中，以及一第二鳍状结构于该基板的一第二区中；

蚀刻该第一鳍状结构以形成一第一凹陷，并蚀刻该第二鳍状结构以形成一第二凹陷；

形成一第一遮罩结构以覆盖该第二凹陷并露出该第一凹陷，其中该第一遮罩结构包括一第一介电层与一第二介电层位于该第一介电层上，且该第一介电层的介电常数低于该第二介电层的介电常数；

形成一第一源极/漏极结构于该第一凹陷中；

移除该第一遮罩结构；

形成一第二遮罩结构以覆盖该第一源极/漏极结构并露出该第二凹陷；

形成一第二源极/漏极结构于该第二凹陷中；以及

移除该第二遮罩结构。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，还包括：

形成该第一介电层以覆盖该基板的该第一区与该第二区；

形成该第二介电层于该第一介电层上；

蚀刻该第一区中的该第二介电层的一部分；以及

蚀刻该第一区中的该第一介电层的一部分。

7.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，还包括：

自该第二凹陷使该第二鳍状结构的所述第一半导体层横向凹陷，以形成多个缺口；

形成多个内侧间隔物于所述缺口中，其中所述内侧间隔物与该第二介电层隔有该第一介电层。