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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]形成半导体器件的方法-CN202210886855.3在审
发明人： 陈玟儒;柯忠廷;黄泰钧 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：形成半导体器件的方法包括在第一半导体区域上方形成第一栅极堆叠件，在第一栅极堆叠件上沉积间隔件层，以及在间隔件层上沉积伪间隔件层。伪间隔件层包括含金属材料。对伪间隔件层和间隔件层执行各向异性刻蚀工艺，以分别形成栅极间隔件和伪侧壁间隔件。蚀刻第一半导体区域以形成延伸到第一半导体区域中的凹槽。将第一栅极堆叠件、栅极间隔件和伪侧壁间隔件用作蚀刻掩模来蚀刻第一半导体区域。该方法还包括在凹槽中外延生长源极/漏极区域，以及在生长源极/漏极区域之后，去除伪侧壁间隔件。
形成半导体器件方法

[发明专利]头戴式装置及其驱动方法-CN202010691151.1有效
发明人：林咏真;陈玟儒;陈玮晨;郑凯文;郭彦闵 -专利权人：宏达国际电子股份有限公司
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H04N13/344 文献下载
摘要：提供适用于一头戴式装置的一种驱动方法。驱动方法包含以下操作：移动头戴式装置的第一影像撷取单元以及第二影像撷取单元以分别撷取两张左眼影像以及两张右眼影像；根据两张左眼影像中至少一左眼特征计算第一瞳距；根据两张右眼影像中至少一右眼特征计算第二瞳距；根据第一瞳距与第二瞳距计算双瞳间距；以及根据双瞳间距调整头戴式装置的第一透镜与第二透镜间的距离。上述头戴式装置的驱动方法的优点之一是运算量相当的低，从而提供高执行速度。
头戴式装置及其驱动方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202210302847.X在审
发明人：柯忠廷;陈玟儒;黄泰钧 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：提供半导体结构的形成方法，包括形成第一与第二鳍状结构，其中第一与第二鳍状结构的每一者包括交错堆叠的第一半导体层与第二半导体层；以及形成第一遮罩结构以覆盖第二鳍状结构。第一遮罩结构包括第一介电层与第二介电层位于第一介电层上，且第一介电层与第二介电层的材料不同。形成第一源极/漏极结构于第一鳍状结构中；移除第一遮罩结构；形成第二源极/漏极结构于第二鳍状结构中；移除第一鳍状结构与第二鳍状结构的第一半导体层，以形成第一纳米结构与第二纳米结构；以及形成栅极堆叠于第一纳米结构与第二纳米结构周围。
半导体结构形成方法

[发明专利]制造晶体管的方法-CN202110103497.X在审
发明人： 陈玟儒;柯忠廷;谢宛蓁;龙俊名;黄泰钧;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种制造晶体管的方法包括在基板上方形成半导体层；蚀刻半导体层的部分以形成第一凹槽及第二凹槽；在半导体层上方形成第一掩膜层；对第一掩膜层执行第一热处理，第一热处理使第一掩膜层致密化；蚀刻第一掩膜层以便暴露第一凹槽；在第一凹槽中形成第一半导体材料；及移除第一掩膜层。
制造晶体管方法

[发明专利]多层掩模层及其形成方法-CN202110496596.9在审
发明人： 陈玟儒;柯忠廷;张雅岚;陈亭纲;黄泰钧;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开涉及多层掩模层及其形成方法。一种方法包括：在衬底之上形成半导体层；蚀刻半导体层的一部分以形成第一凹部和第二凹部；在半导体层之上形成第一掩模层；在第一掩模层上执行第一热处理，该第一热处理使第一掩模层致密化；蚀刻第一掩模层以使所述第一凹口暴露；在第一凹口中形成第一半导体材料；并且去除第一掩模层。
多层掩模层及其形成方法

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN202110183892.3在审
发明人： 陈玟儒;柯忠廷;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-10 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本公开提供一种制造半导体装置的方法。制造半导体装置的方法包括在基板上形成第一半导体层，在第一半导体层上形成第二半导体层，以及在第一半导体层和第二半导体层上形成牺牲膜。牺牲膜填充第一半导体层和第二半导体层之间的区域。方法还包括在第一半导体层和第二半导体层之间的牺牲膜中形成间隔并去除牺牲膜。
制造半导体装置方法

[发明专利]沉积设备、沉积系统及半导体装置的形成方法-CN202011111250.4在审
发明人：柯忠廷;陈玟儒;谢宛蓁;吴明发;黄泰钧;卢永诚;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： C23C16/20 文献下载
摘要：在一个实施例中，一种半导体装置的形成方法包括在一排气管线的内部表面上形成疏水涂层、将所述排气管线连接至半导体制程腔体、将第一前驱物导入至半导体制程腔体中、将第二前驱物导入至半导体制程腔体中，其中第一前驱物与第二前驱物反应以产生氧化材料层、以及自半导体制程腔体以及经由所述排气管线泵抽第一前驱物及第二前驱物。
沉积设备系统半导体装置形成方法

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