[发明专利]旋转基座装置及半导体工艺设备

权利要求书

1.一种旋转基座装置，应用于半导体设备的工艺腔室中，其特征在于，包括基座组件、至少两个磁旋转件和至少两组磁驱动组件，其中：

所述基座组件设置于所述工艺腔室中，用于承载晶圆；

所述磁旋转件与所述基座组件连接；

所述磁驱动组件固定设置于所述工艺腔室外，所述磁旋转件和所述磁驱动组件均沿所述基座组件的周向均匀分布，每组所述磁驱动组件包括两个磁驱动件，所述磁驱动件通过磁性耦合可带动所述磁旋转件旋转，进而所述磁旋转件带动所述基座组件绕自身的轴线旋转。

2.根据权利要求1所述的旋转基座装置，其特征在于，同一组所述磁驱动组件中的两个所述磁驱动件相对的一侧磁极相同。

3.根据权利要求1所述的旋转基座装置，其特征在于，所述磁旋转件为导磁材料，所述磁驱动件为感应线圈。

4.根据权利要求1所述的旋转基座装置，其特征在于，所述基座组件包括基座和支撑连接环，所述基座用于承载所述晶圆，所述支撑连接环与所述基座连接，所述磁旋转件设置在所述支撑连接环中；所述支撑连接环设置有基底部和插接部，所述插接部设置在所述基底部上，所述基底部沿所述工艺腔室的内周壁延伸设置，且与所述工艺腔室的内周壁之间具有间隙；所述基座的底面设置有插接槽，所述插接槽用于插接所述插接部。

5.根据权利要求4所述的旋转基座装置，其特征在于，所述插接部与所述插接槽接触的表面之间具有摩擦层，所述摩擦层用于增大所述插接部与所述插接槽之间的摩擦力。

6.根据权利要求5所述的旋转基座装置，其特征在于，所述插接部与所述插接槽接触的表面之间还具有隔热层，所述隔热层用于降低所述基座与所述插接部之间的热量传递。

7.根据权利要求6所述的旋转基座装置，其特征在于，所述摩擦层和隔热层均为黑石英层。

8.根据权利要求4所述的旋转基座装置，其特征在于，所述支撑连接环中设置有冷却通道，所述冷却通道用于供冷却液通入至所述支撑连接环中，以对所述支撑连接环和所述磁旋转件进行冷却。

9.根据权利要求4所述的旋转基座装置，其特征在于，所述基座中设置有用于承载晶圆的承载部，所述承载部的底部设置有多个气孔，且多个所述气孔均匀设置于所述承载部上；

所述旋转基座装置还包括输气管，所述输气管的出气端与多个所述气孔均连通，所述输气管的进气端用于与气源连通，以将气体输送至所述承载部，所述输气管上设置有第一通断阀，所述第一通断阀用于控制所述输气管的通断。

10.根据权利要求9所述的旋转基座装置，其特征在于，所述旋转基座装置还包括抽气管，所述抽气管的进气端与所述气孔均连通，所述抽气管的排气端用于与抽气装置连通，所述抽气管上设置有第二通断阀，所述第二通断阀用于控制所述抽气管的通断，所述抽气管用于将所述晶圆与所述承载部之间的气体抽出。

11.根据权利要求9所述的旋转基座装置，其特征在于，所述承载部上设置有第一凹槽和第二凹槽，所述第二凹槽设置在所述第一凹槽的底部，且所述第一凹槽的径向尺寸大于所述晶圆的径向尺寸，所述第二凹槽的径向尺寸小于所述晶圆的径向尺寸，所述第一凹槽与所述第二凹槽的连接处形成有用于承载所述晶圆的台阶；所述气孔设置在所述第二凹槽的底面上。

12.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括工艺腔室和如权利要求1-11任意一项所述的旋转基座装置。