[发明专利]一种提高导通性能的半导体封装方法

说明书

本发明提供的一种提高导通性能的半导体封装方法，步骤一：在半导体封装过程中，对包封层进行激光钻孔形成通孔，并暴露包封层内部的铜块，铜块处于通孔底部，步骤二：在通孔内进行电镀，形成金属层，金属层与铜块连接，在所述步骤一和步骤二之间，将封装体至于真空环境中，并进行二次激光，打通暴露的铜块与空气接触时产生氧化铜层，使铜块暴露出来。能够有效去除氧化铜层，在电镀时，能够大大提高导通性能，降低电阻力，从而提高封装体的性能。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种提高导通性能的半导体封装方法。

背景技术

半导体封装是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。封装过程为：来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后被切割为小的晶片（Die），然后将切割好的晶片用胶水贴装到相应的基板（引线框架）架的小岛上，再利用超细的金属（金锡铜铝）导线或者导电性树脂将晶片的接合焊盘（Bond Pad）连接到基板的相应引脚（Lead）,并构成所要求的电路；然后再对独立的晶片用塑料外壳加以封装保护，塑封之后还要进行一系列操作，封装完成后进行成品测试，通常经过入检Incoming、测试Test和包装Packing等工序，最后入库出货。

现有技术中，在半导体封装工艺中，需要对包封体进行钻孔操作，直到暴露包封体内部的铜凸块或者铜垫或者金属垫，用于电镀连接，请参阅申请号为201910822100.5，申请日为2019年9月2日，专利名称为“一种大尺寸芯片的分层隔离封装结构及工艺”的专利，请参阅其步骤8和步骤9中：“在第二塑封体上设置过孔，过孔的一端与所述第二铜垫连接，另一端延伸至所述第二塑封体上的靠近金属凸块的外表面处；在过孔内设置导电金属，导电金属一端连接所述第二铜垫，另一端延伸至所述第二塑封体上的靠近金属凸块一面的外表面处”。

上述提及的过孔，在现有技术中，通过激光钻孔形成过孔后，由于露出的铜垫，由于受空气的氧化，会形成一层氧化铜，在后期电镀Ti或者Cu时，由于氧化铜的存在，导致导通性能大大降低，增大电阻力，从而降低封装体的性能。

发明内容

本发明提供了一种能够解决上述问题的一种提高导通性能的半导体封装方法。

本发明所采取的技术方案如下：

一种提高导通性能的半导体封装方法，包括如下步骤：

步骤一：在半导体封装过程中，对包封层进行激光钻孔形成通孔，并暴露包封层内部的铜块，铜块处于通孔底部。

步骤二：在通孔内进行电镀，形成金属层，金属层与铜块连接。

还包括如下步骤：

在所述步骤一和步骤二之间，将封装体至于真空环境中，并进行二次激光，打通暴露的铜块与空气接触时产生氧化铜层，使铜块暴露出来。

进一步的，所述步骤二中，在通孔内进行电镀，形成金属层的材质为Ti或者Cu。

进一步的，在所述在步骤一中，所述铜块能够采用其他导电金属进行替换。

进一步的，所述导电金属包括Ti、Fe、Al、Ag中的任意一种。

进一步的，在所述步骤一和步骤二之间，将封装体至于真空环境中，并进行二次激光，打通暴露的导电金属与空气接触时产生氧化层或者表面杂质，使导电金属暴露出来。

本发明与现有技术相比较，本发明的有益效果如下：在半导体封装过程中，对包封层进行激光钻孔形成通孔，并暴露包封层内部的铜块，铜块处于通孔底部，步骤二：在通孔内进行电镀，形成金属层，金属层与铜块连接，在所述步骤一和步骤二之间，将封装体至于真空环境中，并进行二次激光，打通暴露的铜块与空气接触时产生氧化铜层，使铜块暴露出来。能够有效去除氧化铜层，在电镀时，能够大大提高导通性能，降低电阻力，从而提高封装体的性能。

具体实施方式

下面将结合具体的实施方式来说明本发明的内容。