[发明专利]一种提高导通性能的半导体封装方法

权利要求书

1.一种提高导通性能的半导体封装方法，包括如下步骤：

步骤一：在半导体封装过程中，对包封层进行激光钻孔形成通孔，并暴露包封层内部的铜块，铜块处于通孔底部；

步骤二：在通孔内进行电镀，形成金属层，金属层与铜块连接；

其特征在于：还包括如下步骤：

在所述步骤一和步骤二之间，将封装体至于真空环境中，并进行二次激光，打通暴露的铜块与空气接触时产生氧化铜层，使铜块暴露出来。

2.根据权利要求1所述的一种提高导通性能的半导体封装方法，其特征在于，所述步骤二中，在通孔内进行电镀，形成金属层的材质为Ti或者Cu。

3.根据权利要求1所述的一种提高导通性能的半导体封装方法，其特征在于，在所述步骤一中，所述铜块能够采用其他导电金属进行替换。

4.根据权利要求3所述的一种提高导通性能的半导体封装方法，其特征在于，所述导电金属包括Ti、Fe、Al、Ag中的任意一种。

5.根据权利要求4所述的一种提高导通性能的半导体封装方法，其特征在于，在所述步骤一和步骤二之间，将封装体至于真空环境中，并进行二次激光，打通暴露的导电金属与空气接触时产生氧化层或者表面杂质，使导电金属暴露出来。