[发明专利]一种用于药液耐受性差的膜层的图形化方法

说明书

本发明公开了一种用于药液耐受性差的膜层的图形化方法，包括薄膜封装层制备，薄膜封装层制备工艺为薄膜封装层成膜→涂胶及前烘烤→等离子体处理→曝光→灰化→刻蚀→去胶。本发明无需湿法显影即可完成图形化，进行薄膜封装层的制备，避免薄膜封装层因药液耐受性原因造成的良率损伤。

技术领域

本发明属于硅基显示技术领域，具体涉及一种用于药液耐受性差的膜层的图形化方法。

背景技术

硅基微显常规的图像化工艺中，通常流程是涂光刻胶、前烘烤(软烘)、曝光、后烘烤(PEB)、显影、主固化(硬烘)，图形化完成后进行刻蚀，完成图形的转印，达成图形化目的。但部分膜层，如薄膜封装层，因其性质影响，膜层的药液耐受性较差，在显影过程中，因显影通常为湿法显影，药液使用为TMAH及KOH，此药液会对薄膜封装膜层产生一定的损伤，造成后续的封装失效，产生死点及暗点异常，影响良率。

目前制约硅基微显快速发展的一个最主要的原因，是其制备良率过低，造成生产成本过大。在其良率损失中，因封装层失效，水氧侵蚀造成的显示屏黑点、暗点等异常占据较大一部分，故对薄膜封装层制备工艺的改善较为迫切。

发明内容

针对现有技术中存在的不足，本发明的目的在于提供一种用于药液耐受性差的膜层的图形化方法，该方法无需湿法显影即可完成图形化，进行薄膜封装层的制备，避免薄膜封装层因药液耐受性原因造成的良率损伤。

为实现上述目的，本发明的技术方案为：一种用于药液耐受性差的膜层的图形化方法，包括薄膜封装层制备，所述薄膜封装层制备工艺为薄膜封装层成膜→涂胶及前烘烤→等离子体处理→曝光→灰化→刻蚀→去胶。

进一步的，基于薄膜封装层制备的图形化方法包括：

步骤a.对完成阳极、像素定义层及蒸镀工艺的基板进行薄膜封装层成膜作业，得到第一基板；

步骤b.对第一基板进行涂胶及前烘烤作业，得到第二基板；

步骤c.对第二基板进行等离子处理，得到第三基板；

步骤d.对第三基板进行曝光处理，得到第四基板；

步骤e.对第四基板进行灰化及刻蚀作业，得到第五基板；

步骤f.对第五基板进行去胶作业，得到第六基板；即完成薄膜封装层制备。

进一步的，所述步骤a的具体操作为：对完成阳极、像素定义层及蒸镀工艺的基板进行薄膜封装层成膜，采用PECVD+ALD方式成膜，膜层为SiN/Al₂O₃叠层结构，SiN层的厚度为400nm～500nm，Al₂O₃层的厚度为30nm～40nm。

进一步的，所述步骤b的具体操作为：对完成薄膜封装层成膜的第一基板进行光刻胶涂胶作业，光刻胶选用正性光刻胶，型号为RE300.18.15PMMA胶，光刻胶的厚度为2.2um～2.4um；并对涂胶后的基板进行前烘烤，前烘烤温度为90℃±5℃，前烘烤时间为60s±10s。

进一步的，所述步骤c的具体操作为：完成光刻胶涂胶及前烘烤的第二基板进行氟基及氧基等离子体处理，采用的等离子气体为CF₄、O₂，CF₄的流量大小为20sccm～22sccm，O₂的流量大小为3sccm～5sccm，等离子体处理时控制压力为10mTorr～12mTorr，SourcePower为150W～160W，Bias power为30W～40W，刻蚀时间为5s±10s。

进一步的，所述步骤d的具体操作为：对完成等离子体处理的第三基板采用深紫外光束或电子束曝光，深紫外光束曝光采用248nm深紫外，曝光量选择350mJ/cm²；电子束曝光采用e-beam，电子束能力选用50kev。