[发明专利]一种用于药液耐受性差的膜层的图形化方法

权利要求书

1.一种用于药液耐受性差的膜层的图形化方法，其特征在于：包括薄膜封装层制备，所述薄膜封装层制备工艺为薄膜封装层成膜→涂胶及前烘烤→等离子体处理→曝光→灰化→刻蚀→去胶。

2.如权利要求1所述的一种用于药液耐受性差的膜层的图形化方法，其特征在于：基于薄膜封装层制备的图形化方法包括：

步骤a.对完成阳极、像素定义层及蒸镀工艺的基板进行薄膜封装层成膜作业，得到第一基板(1)；

步骤b.对第一基板(1)进行涂胶及前烘烤作业，得到第二基板(2)；

步骤c.对第二基板(2)进行等离子处理，得到第三基板(3)；

步骤d.对第三基板(3)进行曝光处理，得到第四基板(4)；

步骤e.对第四基板(4)进行灰化及刻蚀作业，得到第五基板(5)；

步骤f.对第五基板(5)进行去胶作业，得到第六基板(6)；即完成薄膜封装层制备。

3.如权利要求2所述的一种用于药液耐受性差的膜层的图形化方法，其特征在于：所述步骤a的具体操作为：对完成阳极、像素定义层及蒸镀工艺的基板进行薄膜封装层成膜，采用PECVD+ALD方式成膜，膜层为SiN/Al₂O₃叠层结构，SiN层的厚度为400nm～500nm，Al₂O₃层的厚度为30nm～40nm。

4.如权利要求3所述的一种用于药液耐受性差的膜层的图形化方法，其特征在于：所述步骤b的具体操作为：对完成薄膜封装层成膜的第一基板(1)进行光刻胶涂胶作业，光刻胶选用正性光刻胶，型号为RE300.18.15PMMA胶，光刻胶的厚度为2.2um～2.4um；并对涂胶后的基板进行前烘烤，前烘烤温度为90℃±5℃，前烘烤时间为60s±10s。

5.如权利要求4所述的一种用于药液耐受性差的膜层的图形化方法，其特征在于：所述步骤c的具体操作为：完成光刻胶涂胶及前烘烤的第二基板(2)进行氟基及氧基等离子体处理，采用的等离子气体为CF₄、O₂，CF₄的流量大小为20sccm～22sccm，O₂的流量大小为3sccm～5sccm，等离子体处理时控制压力为10mTorr～12mTorr，Source Power为150W～160W，Bias power为30W～40W，刻蚀时间为5s±10s。

6.如权利要求5所述的一种用于药液耐受性差的膜层的图形化方法，其特征在于：所述步骤d的具体操作为：对完成等离子体处理的第三基板(3)采用深紫外光束或电子束曝光，深紫外光束曝光采用248nm深紫外，曝光量选择350mJ/cm²；电子束曝光采用e-beam，电子束能力选用50kev。

7.如权利要求6所述的一种用于药液耐受性差的膜层的图形化方法，其特征在于：氧等离子对深紫外光束曝光或电子束曝光区域的灰化速率为未曝光区域灰化速率的3～4倍。

8.如权利要求7所述的一种用于药液耐受性差的膜层的图形化方法，其特征在于：所述步骤e的具体操作为：对完成曝光后的第四基板(4)进行灰化及干法刻蚀作业，采用氧等离子方法进行灰化；灰化采用气体O₂，O₂流量控制在30sccm～40sccm，灰化时Source Power控制在40W～50W，Bias power控制在0W，压力控制在5mTorr～7mTorr，灰化时间控制在30～32s；灰化完成后，曝光区域光刻胶完全去除，未曝光区域光刻胶剩余1.4um～1.6um，此时完成图形化。