[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202210238162.3 | 申请日： | 2022-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN114975120A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 林士尧;李筱雯;郑宇珊;陈昭成 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，包括：
一通道结构，沿一第一横向方向延伸，且设置于一基板上方；
一栅极结构，沿一第二横向方向延伸，且跨越所述通道结构，所述第二横向方向垂直于所述第一横向方向；
一外延结构，耦合至所述通道结构，且设置在所述栅极结构的旁边；以及
一气隙，沿所述第一横向方向设置在所述栅极结构与所述外延结构之间；
其中，所述气隙包括沿一垂直方向延伸的一第一部分，且所述气隙所具有的一底端设置在所述通道结构的一顶表面的上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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