[发明专利]一种用于碳化硅半导体制程中的清洗液组合物

权利要求书

1.一种用于碳化硅半导体制程中的清洗液组合物，其特征在于，所述清洗液组合物组成包括羟胺和/或其盐和/或其衍生物、有机酸和/或有机酸盐、去离子水，各组分所占清洗液的质量百分比为：羟胺和/或其盐和/或其衍生物0.1-30wt%、有机酸和/或有机酸盐0.05-20wt%，余量为去离子水，所述清洗液组合物的pH值＜7。

2.根据权利要求1所述的用于碳化硅半导体制程中的清洗液组合物，其特征在于，所述羟胺和/或其盐和/或其衍生物选自羟胺、盐酸羟胺、硫酸羟胺、硝酸羟胺、醋酸羟胺、磷酸羟胺及二乙基羟胺中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的用于碳化硅半导体制程中的清洗液组合物，其特征在于，所述羟胺和/或其盐和/或其衍生物的质量分数为1-20wt%，优选为2-10wt%。

4.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的用于碳化硅半导体制程中的清洗液组合物，其特征在于，所述有机酸和/或有机酸盐选自α-羟基酸和/或其酸盐、β-羟基酸和/或其酸盐、氨基酸中的一种或多种。

5.根据权利要求4所述的用于碳化硅半导体制程中的清洗液组合物，其特征在于，所述的α-羟基酸和/或其酸盐及β-羟基酸和/或其酸盐选自柠檬酸、甘醇酸、乳酸、苹果酸、酒石酸、枸橼酸、杏仁酸、葡萄糖酸、乳糖酸、麦芽糖酸、水杨酸及其酸盐中的至少一种；所述的氨基酸选自甘氨酸、丙氨酸、缬氨酸、亮氨酸、异亮氨酸、苯丙氨酸、色氨酸、酪氨酸、天冬氨酸、组氨酸、天冬酰胺、谷氨酸、赖氨酸、谷氨酰胺、甲硫氨酸、精氨酸、丝氨酸、苏氨酸、半胱氨酸、脯氨酸的一种或多种。

6.根据权利要求4所述的用于碳化硅半导体制程中的清洗液组合物，其特征在于，有机酸和/或有机酸盐的质量分数为0.1-10wt%，优选为0.5-5wt%。

7.根据权利要求1所述的用于碳化硅半导体制程中的清洗液组合物，其特征在于，所述清洗液组合物不含水溶性有机溶剂和水溶性胺类化合物。

8.根据权利要求1所述的用于碳化硅半导体制程中的清洗液组合物，其特征在于，所述清洗液组合物的pH值＜5，优选地，pH值＜3。

9.根据权利要求1所述的用于碳化硅半导体制程中的清洗液组合物，其特征在于，所述清洗液组合物的清洗温度控制在20-60℃间，优选地，所述清洗液组合物的清洗温度控制在20-30℃间。