[发明专利]半导体结构的制造方法在审
| 申请号： | 202210207809.6 | 申请日： | 2022-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN114927468A | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 林大钧;潘国华;廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体结构的制造方法，包括：
提供具有一半导体基板的一工件，上述半导体基板具有一第一电路区和一第二电路区；
形成在上述第一电路区内的一第一有源区和在上述第二电路区内的一第二有源区；
形成在上述第一有源区上的一第一栅极结构和在上述第二有源区上的一第二栅极结构，上述第一栅极结构具有多个第一栅极堆叠，上述第一栅极堆叠具有一第一栅极间距，并且上述第二栅极结构具有多个第二栅极堆叠，上述第二栅极堆叠具有与上述第一栅极间距不同的一第二栅极间距；
形成覆盖上述第二有源区的一第一图案化掩模；
在上述第二有源区被上述第一图案化掩模覆盖时，引入一掺杂物质到上述第一有源区；
移除上述第一图案化掩模；
执行一蚀刻工艺，从而使上述第一有源区的多个第一源极/漏极区和上述第二有源区的多个第二源极/漏极区凹陷；以及
在上述第一源极/漏极区和上述第二源极/漏极区凹陷后，外延成长在上述第一源极/漏极区内的多个第一源极/漏极特征和在上述第二源极/漏极区内的多个第二源极/漏极特征。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210207809.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
