[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板在审
| 申请号: | 202210185018.8 | 申请日: | 2022-02-28 |
| 公开(公告)号: | CN114566508A | 公开(公告)日: | 2022-05-31 |
| 发明(设计)人: | 尹文 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 李莎 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
本发明涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。本发明的显示面板的所述第一层间绝缘层在所述第一基板上的投影与所述开口区在所述第一基板上的投影相切或相离,使得开口区的所述第二层间绝缘层靠近所述第一基板的一侧的表面贴合于所述栅极绝缘层远离所述第一基板的一侧的表面,使用相同材质制备栅极绝缘层和所述第二层间绝缘层,由此可以降低光线在开口区的所述第二层间绝缘层和所述栅极绝缘层的接触面的反射率,进而降低显示面板的反射率,减弱显示面板对环境光线的反光,提升显示面板的对比度,提升显示面板的显示效果。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。
背景技术
随着电子产品的不断普及,它的革新换代速度非常快,功能要求也越来越严苛。其中对显示面板更低反射率的追求也成为未来市场的发展趋势,更低的反射率可以给用户带来更加舒适的视觉体验,尤其是在较强的外界环境光线照射的环境下。
自然光射入显示面板之后,主要有三种路径:透过,吸收和反射。理想情况下,我们希望光线可以完全透过或是被吸收,但是在现实情况下无法做到光线可以完全透过或是被吸收。主要是因为显示面板中有很多膜层,这些膜层的折射率是不一样的,所以光线进入不同膜层时角度会发生改变,即会有反射光线,在不同界面的反射光线还会产生干涉效应。光线在进入不同膜层时的反射率公式如下:反射率(R)=(n1-n2)2/(n1+n2)2(n1,n2分别是两种介质的真实折射率)。根据上述公式(R)=(n1-n2)2/(n1+n2)2,可知当相邻膜层的折射率n值越接近,则在两层膜层的交界处的反射率越低。
目前的低温多晶硅(英文全称:Low Temperature Poly-Silicon,简称LTPS)显示面板中存在多层绝缘层,所以产生很多折射率n值相差较大的接触面,造成显示面板的反射率偏高,在阳光或其它外界环境光线照射下,会带来较强的反光,降低了显示面板的对比度,极大的影响了显示面板的显示效果。
发明内容
本发明的目的是提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板,其能够解决现有显示面板中存在很多折射率相差较大的接触面,造成显示面板的反射率偏高,导致显示面板的对比度降低,最终导致显示面板的显示效果降低等问题。
为了解决上述问题,本发明提供了一种阵列基板,其包括开口区和非开口区:第一基板;栅极绝缘层,设置于所述第一基板上,且位于所述开口区和所述非开口区;第一层间绝缘层,设置于所述栅极绝缘层远离所述第一基板的一侧,且位于所述非开口区;以及第二层间绝缘层,设置于所述第一层间绝缘层远离所述第一基板的一侧,且位于所述开口区和所述非开口区;其中,所述第一层间绝缘层在所述第一基板上的投影与所述开口区在所述第一基板上的投影相切或相离。
进一步的,位于所述开口区的所述第二层间绝缘层靠近所述第一基板的一侧的表面贴合于位于所述开口区的所述栅极绝缘层远离所述第一基板的一侧的表面。
进一步的,所述栅极绝缘层和所述第二层间绝缘层的材质相同。
进一步的,光线在开口区的所述第二层间绝缘层和所述栅极绝缘层的接触面的反射率小于所述光线在非开口区的所述第二层间绝缘层和所述第一层间绝缘层的接触面的反射率。
进一步的,光线在开口区的所述第二层间绝缘层和所述栅极绝缘层的接触面的反射率小于所述光线在非开口区的所述第一层间绝缘层和所述栅极绝缘层的接触面的反射率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





