[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括开口区和非开口区：

第一基板；

栅极绝缘层，设置于所述第一基板上，且位于所述开口区和所述非开口区；

第一层间绝缘层，设置于所述栅极绝缘层远离所述第一基板的一侧，且位于所述非开口区；以及

第二层间绝缘层，设置于所述第一层间绝缘层远离所述第一基板的一侧，且位于所述开口区和所述非开口区；

其中，所述第一层间绝缘层在所述第一基板上的投影与所述开口区在所述第一基板上的投影相切或相离。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，位于所述开口区的所述第二层间绝缘层靠近所述第一基板的一侧的表面贴合于位于所述开口区的所述栅极绝缘层远离所述第一基板的一侧的表面。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极绝缘层和所述第二层间绝缘层的材质相同。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，光线在开口区的所述第二层间绝缘层和所述栅极绝缘层的接触面的反射率小于所述光线在非开口区的所述第二层间绝缘层和所述第一层间绝缘层的接触面的反射率。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，光线在开口区的所述第二层间绝缘层和所述栅极绝缘层的接触面的反射率小于所述光线在非开口区的所述第一层间绝缘层和所述栅极绝缘层的接触面的反射率。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

有源层，设置于所述第一基板与所述栅极绝缘层之间，且位于所述非开口区；

栅极层，设置于所述栅极绝缘层与所述第一层间绝缘层之间，且位于所述非开口区；以及

源漏极层，设置于所述第二层间绝缘层远离所述第一基板的一侧，且位于所述非开口区，且电连接至所述有源层；

其中，所述有源层的材质为低温多晶硅。

7.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在一第一基板上定义出开口区和非开口区；

在所述开口区和所述非开口区的所述第一基板上制备栅极绝缘层；

在所述非开口区的所述栅极绝缘层远离所述第一基板的一侧制备第一层间绝缘层；所述第一层间绝缘层在所述第一基板上的投影与所述开口区在所述第一基板上的投影相切或相离；以及

在所述非开口区的所述第一层间绝缘层远离所述第一基板的一侧制备第二层间绝缘层，所述第二层间绝缘层还延伸覆盖于所述开口区的所述栅极绝缘层上。

8.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述非开口区的所述栅极绝缘层远离所述第一基板的一侧制备第一层间绝缘层的步骤包括：

在所述开口区和所述非开口区的所述栅极绝缘层远离所述第一基板的一侧制备第一层间绝缘层；以及

去除位于所述开口区内的所述第一层间绝缘层，保留位于所述非开口区内的所述第一层间绝缘层。

9.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-6中任一项所述的阵列基板、与所述阵列基板相对设置的彩膜基板以及设置于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层。

10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述彩膜基板包括：

第二基板；以及

多个黑色矩阵单元，相互间隔设置于所述第二基板靠近所述第一基板的一侧；

所述黑色矩阵单元在所述第一基板上的投影与所述非开口区在所述第一基板上的投影相互重合。