[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，具有如下工序：

将第1半导体元件载置在衬底上；及

将板状部件与第1粘着层积层而成的部件收容在筒夹中，且将已加热的所述第1粘着层压合在载置有所述第1半导体元件的所述衬底上；且

所述筒夹在收容所述板状部件与所述第1粘着层积层而成的部件的面具有：第1部件，具有第1杨氏模量；及第2部件，具有较所述第1杨氏模量低的第2杨氏模量。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中

在进行所述压合的工序中，所述第1部件的与所述第1半导体元件对向的面及所述第1半导体元件的与所述第1部件对向的面，在所述衬底与所述第1粘着层的压合方向上重叠。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中

所述第2部件设置在所述第1部件的外周侧。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中

所述第1部件的与所述第1半导体元件对向的面的面积，较所述第1半导体元件的与所述第1部件对向的面的面积宽。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中

进行所述压合的工序中，所述第1部件的与所述第1半导体元件对向的面及所述第1半导体元件的与所述第1部件对向的面的整个表面，在所述衬底与所述第1粘着层的压合方向即Z方向上重叠。

6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中

所述第1部件的杨氏模量在50[℃]以上150[℃]以下的范围为2×10⁹[Pa]以上且2×10¹⁰[Pa]以下，

所述第2部件的杨氏模量在50[℃]以上且150[℃]以下的范围为1×10⁷[Pa]以上且2×10⁹[Pa]以下。

7.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中

所述第1部件的热传导率为1[W/mK]以上且100[W/mK]以下，

所述第2部件的热传导率为0.1[W/mK]以上且0.3[W/mK]以下。

8.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中

50[℃]以上且150[℃]以下的范围的所述第1部件的杨氏模量，为50[℃]以上且150[℃]以下的范围的所述第2部件的杨氏模量的100倍以上且20000倍以下。

9.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中

所述第1部件的热传导率是所述第2部件的热传导率的3.3倍以上且1000倍以下。

10.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中

进行所述压合的工序中，所述第1部件的与所述第1半导体元件对向的面及所述第1半导体元件的与所述第1部件对向的面的整个表面，在所述衬底与所述第1粘着层的压合方向上重叠。

11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中

在将所述第1半导体元件与所述筒夹在所述衬底与所述第1粘着层的压合方向上重叠时，从所述第1部件与所述第2部件的边界至所述第1半导体元件为止的距离是10[μm]以上且100[μm]以下。

12.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中

从所述第2部件的外周至所述第1部件与所述第2部件的边界为止的距离是100[μm]以上且50000[μm]以下。

13.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中

所述第1部件是选自由金属板、陶瓷板及含有填料的橡胶板所组成的群中的1种板或包含1种以上的积层板。

14.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中

所述第2部件是橡胶板。