[发明专利]一种金属气密芯片级封装方案及结构

权利要求书

1.一种金属气密芯片级封装结构，包括：五面金属包封CSP封装体和双面铜互连陶瓷基板，所述五面金属包封CSP封装体实现本发明的上下面立体互连，同时实现金属盖帽的密封和散热功能；所述双面铜互连陶瓷基板为底座，实现本发明的气密、引脚互连、热沉等功能。

2.一种金属气密芯片级封装方案，所述五面金属包封CSP封装体和双面铜互连陶瓷基板采用气密性金锡焊接方式互连，所述方案采用焊接前真空烘烤加热，脉冲或超声焊接等。

3.根据权利1要求所述的封装结构，其特征在于，所述双面铜互连陶瓷基板正面方向上，所述五面金属包封CSP封装体在所述双面铜互连陶瓷基板上方，所述五面金属包封CSP封装体的正面朝向所述双面铜互连陶瓷基板的正面。

4.根据权利1要求所述的五面金属包封CSP封装体，其特征在于，封装金属包覆至少一个芯片形成的封装体，所述芯片正面设有导电凸块，导电凸块上表面暴露在所述封装金属之外。

5.根据权利1要求所述的双面铜互连陶瓷基板，其特征在于，陶瓷基板正反两面覆有金属铜，并通过陶瓷基板中的预留孔径实现双面铜互连。

6.根据权利2要求所述的封装方案，其特征在于，所述五面金属包封CSP封装体和双面铜互连陶瓷基板之间的封装方式为金锡焊接方法。

7.根据权利2要求所述的封装方案，所述气密性封装方法为氮气、氦气或可控气氛环境中的共晶焊方法。

8.根据权利2要求所述的封装方案，所述方案采用焊接前真空烘烤加热，脉冲或超声焊接等工艺步骤。