[发明专利]BiMOS半导体装置在审
| 申请号： | 202210113723.7 | 申请日： | 2022-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN115148804A | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 中村研贵;塚田能成;米田真也;前田康宏;根来佑树 | 申请（专利权）人： | 本田技研工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;吴启超 |
| 地址： | 日本东*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | bimos 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种BiMOS半导体装置，是具有沟槽栅极结构的n沟道型BiMOS半导体装置，并且，
依次形成n+漏极层、交替地接合n-漂移层及p柱层的并列pn层、以及由p基极层及n+源极层构成的复合层。
2.根据权利要求1所述的BiMOS半导体装置，其中，形成在前述p柱层上的前述p基极层与前述n+源极层之间的一部分被高电阻化。
3.根据权利要求1所述的BiMOS半导体装置，其中，前述p柱层与前述p基极层之间被高电阻化。
4.一种BiMOS半导体装置，是具有沟槽栅极结构的p沟道型BiMOS半导体装置，并且，
依次形成p+漏极层、交替地接合p-漂移层及n柱层的并列pn层、以及由n基极层及p+源极层构成的复合层。
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