[发明专利]显示面板及其制作方法及电子设备在审
申请号: | 202210107948.1 | 申请日: | 2022-01-28 |
公开(公告)号: | CN114497160A | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | 刘佳;熊志勇 | 申请(专利权)人: | 武汉天马微电子有限公司;武汉天马微电子有限公司上海分公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京允天律师事务所 11697 | 代理人: | 张忠魁 |
地址: | 430205 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 电子设备 | ||
本申请公开了一种显示面板及其制作方法及电子设备,设置第一电极的高度不完全相同,对于相邻的具有不同高度的第一电极,能够缩短二者之间的横向距离,且能够避免二者对应发光元件的短路问题,可以提高显示面板的分辨率。而且设置像素定义层具有区块,区块位于两个相邻像素开口之间,区块背离阵列基板的表面到该相邻两个像素开口底部之间的距离不同,如是能够增加该相邻两个像素开口之间的公共有机层长度以及第二电极层的长度,从而增大两发光元件之间公共有机层的阻抗以及第二电极层的阻抗,降低横向漏流,提高显示质量。
技术领域
本申请涉及电子设备技术领域,更具体的说,涉及一种显示面板及其制作方法及电子设备。
背景技术
随着科学技术的不断发展,越来越多的具有显示功能的电子设备被广泛的应用于人们的日常生活以及工作当中,为人们的日常生活以及工作带来了巨大的便利,成为当今人们不可或缺的重要工具。
电子设备实现显示功能的主要部件是显示面板,OLED显示面板不需背光源,可以主动发光,且具有对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等诸多有点,成为当今主流显示面板之一。
随着显示面板分辨率的不断提高,导致OLED显示面板中,子像素的距离越来越近,从而导致OLED显示面板中,子像素之间具有较大的横向漏流,影响显示效果。
发明内容
有鉴于此,本申请提供了一种显示面板及其制作方法及电子设备,方案如下:
一种显示面板,显示面板具有显示区以及包围显示区的边框区,显示面板包括:
阵列基板;
设置在阵列基板上的第一导电层,第一导电层包括多个第一电极,第一电极的高度不完全相同;其中,高度为相对于阵列基板的距离;
设置在第一导电层背离阵列基板一侧的像素定义层,像素定义层具有多个与第一电极一一对应的像素开口,像素开口用于露出第一电极;
位于显示区的显示阵列,显示阵列具有多个发光元件;发光元件包括层叠设置的发光功能层以及公共有机层;发光功能层位于像素开口内;发光元件的公共有机层为同一膜层,覆盖相邻两个像素开口之间的像素定义层;
覆盖显示阵列的第二导电层,第二导电层作为发光元件公共的第二电极;
其中,像素定义层具有至少一个区块,区块位于相邻两个像素开口之间,且区块背离阵列基板的表面到该相邻两个像素开口底部之间的距离不同。
本申请技术方案还提供了一种电子设备,包括上述显示面板。
本申请技术方案还提供了一种显示面板的制作方法,包括:
提供阵列基板;
在阵列基板上形成第一导电层,第一导电层包括多个第一电极,第一电极的高度不完全相同;其中,高度为相对于阵列基板的距离;
在第一导电层上形成像素定义层,像素定义层具有多个与第一电极一一对应的像素开口,像素开口用于露出第一电极;
在显示区形成显示阵列,显示阵列具有多个发光元件;发光元件包括层叠设置的发光功能层以及公共有机层;发光功能层位于像素开口内;发光元件的公共有机层为同一膜层,覆盖相邻两个像素开口之间的像素定义层;
形成覆盖显示阵列的第二导电层,第二导电层作为发光元件公共的第二电极;
其中,像素定义层具有至少一个区块,区块位于相邻两个像素开口之间,且区块背离阵列基板的表面到该相邻两个像素开口底部之间的距离不同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的