[发明专利]显示面板及其制作方法及电子设备在审
申请号: | 202210107948.1 | 申请日: | 2022-01-28 |
公开(公告)号: | CN114497160A | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | 刘佳;熊志勇 | 申请(专利权)人: | 武汉天马微电子有限公司;武汉天马微电子有限公司上海分公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京允天律师事务所 11697 | 代理人: | 张忠魁 |
地址: | 430205 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 电子设备 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板具有显示区以及包围所述显示区的边框区,所述显示面板包括:
阵列基板;
设置在所述阵列基板上的第一导电层,所述第一导电层包括多个第一电极,所述第一电极的高度不完全相同;其中,高度为相对于所述阵列基板的距离;
设置在所述第一导电层背离所述阵列基板一侧的像素定义层,所述像素定义层具有多个与所述第一电极一一对应的像素开口,所述像素开口用于露出所述第一电极;
位于所述显示区的显示阵列,所述显示阵列具有多个发光元件;所述发光元件包括层叠设置的发光功能层以及公共有机层;所述发光功能层位于所述像素开口内;所述发光元件的公共有机层为同一膜层,覆盖相邻两个所述像素开口之间的像素定义层;
覆盖所述显示阵列的第二导电层,所述第二导电层作为所述发光元件公共的第二电极;
其中,所述像素定义层具有至少一个区块,所述区块位于相邻两个所述像素开口之间,且所述区块背离所述阵列基板的表面到该相邻两个所述像素开口底部之间的距离不同。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一导电层与所述阵列基板之间具有第一绝缘层
所述第一绝缘层具有多个高度不完全相同的台阶,所述台阶表面用于形成所述第一电极。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述像素定义层背离所述阵列基板的一侧为平面,该平面平行于阵列基板。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述公共有机层和/或所述第二导电层都具有覆盖所述区块侧壁的部分。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述公共有机层包括:电子传输层、电子注入层、空穴传输层以及空穴注入层中的至少一者。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述像素定义层包括多个高度不同的子像素区域,每个所述像素中具有一个所述像素开口。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,不同所述像素开口的深度相同。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板具有发光颜色互不同的第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件;
所述第一发光元件所对应的第一电极的高度相同,所述第二发光元件所对应的第一电极的高度相同,所述第三发光元件所对应的第一电极的高度相同。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示阵列具有多个像素组,所述像素组包括至少三个发光颜色互不相同的发光元件;
其中,所述像素组包括多个高度不完全相同的所述第一电极。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,同一个所述像素组中,所述发光元件在平行于所述阵列基板的方向上依次排布,所述第一电极的高度逐渐增大,或逐渐减小。
11.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,同一个所述像素组中,一部分所述第一电极位于第一高度,另一部分所述第一电极位于第二高度,所述第一高度与所述第二高度不同。
12.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,同一所述像素组中,具有发光颜色互不相同的三个所述发光元件,该三个所述发光元件在平行于所述阵列基板的方向上依次排布,任意相邻的两个所述第一电极的高度不同。
13.根据权利要求1所述的显示面板,不同所述第一电极的高度差不超过4μm。
14.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一导电层还包括第一信号线,所述第一信号线位于所述边框区;所述第二电极与所述第一信号线连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉天马微电子有限公司;武汉天马微电子有限公司上海分公司,未经武汉天马微电子有限公司;武汉天马微电子有限公司上海分公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210107948.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的