[发明专利]集成电路装置及其制造方法及位元单元阵列

权利要求书

1.一种集成电路装置，其特征在于，包含：

一晶体管区域，包含：

一源极结构，用以接收一参考电压；

一漏极结构的一第一部分；以及

一栅电极，在该源极结构与该漏极结构的该第一部分之间定位，并且用以接收一启用信号；以及

一可程序化结构区域，包含：

该漏极结构的一第二部分；

一第一信号线，用以接收一操作电压；

一第二信号线；

一栅极通孔，在该第一信号线下面并且电性连接到该第一信号线；以及

一漏极通孔，在该漏极结构的该第二部分与该第二信号线之间定位并且电性连接到该漏极结构的该第二部分及该第二信号线，

其中该第一信号线包括该栅极通孔的位置的一部分以及该第二信号线包括该漏极通孔的位置的一部分在该集成电路装置的一相同金属层中平行定位。

2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，该相同金属层是该集成电路装置的一第一金属层。

3.根据权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，该栅极通孔或该漏极通孔中的至少一者的一顶部在该第一信号线及该第二信号线之间延伸。

4.根据权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，

该栅极通孔是在该第一信号线下面且电性连接到该第一信号线的两个栅极通孔的一第一栅极通孔，并且

该第一栅极通孔的该位置及一第二栅极通孔的一位置中的每一者对应于邻近该漏极结构的该第二部分的一栅极结构。

5.根据权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，

该栅极通孔是一第一栅极通孔，

该漏极结构是一第一漏极结构，

该漏极通孔是一第一漏极通孔，并且

该可程序化结构区域进一步包含：

一第三信号线，邻近该第一信号线并且用以接收该操作电压；

一第四信号线，邻近该第三信号线；

多个第二栅极通孔及第三栅极通孔，在该第三信号线下面并且电性连接到该第三信号线；

一第二漏极结构；以及

一第二漏极通孔，在该第二漏极结构与该第四信号线之间定位并且电性连接到该第二漏极结构及该第四信号线。

6.根据权利要求5所述的集成电路装置，其特征在于，该可程序化结构区域进一步包含在该第一信号线下面并且电性连接到该第一信号线的一第四栅极通孔。

7.根据权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，该晶体管区域包含包含该源极结构及该栅电极的一n型金属氧化物半导体晶体管。

8.根据权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，

该栅电极是一第一栅电极，并且

该晶体管区域包含：

一第一晶体管，包含该源极结构、该第一栅电极、及一共享的源极/漏极结构；并且

一第二晶体管，包含该共享的源极/漏极结构、该漏极结构的该第一部分、及用以接收一叠接偏压电压的一第二栅电极。