[发明专利]显示面板及其制作方法、显示装置在审
| 申请号: | 202210096661.3 | 申请日: | 2022-01-26 |
| 公开(公告)号: | CN114497154A | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
| 发明(设计)人: | 温梦阳;朱健超;张浩;项大林;刘利宾;张雄南 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 显示装置 | ||
公开一种显示面板及其制作方法、显示装置,涉及显示技术领域,用于提高封装层的封装效果,提高显示装置的良率和使用寿命。该显示面板包括衬底、电路结构层、固定结构和封装层。电路结构层,设置在衬底上。固定结构,设置于电路结构层远离衬底一侧。固定结构在衬底上的正投影与多个子像素的发光区在衬底上的正投影相互错开。固定结构包括相对的第一端面和第二端面,第一端面相对于第二端面更靠近衬底。第一端面在设定方向上的尺寸小于第二端面在设定方向上的尺寸。设定方向为平行于衬底的至少一个方向。封装层,覆盖固定结构,且与固定结构的侧壁接触。上述显示面板应用于显示装置中,以使显示装置显示画面。
技术领域
本公开涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展,以有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,简称OLED)为发光器件、由薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)进行信号控制的柔性显示装置(Flexible Display)已成为目前显示领域的主流产品之一。
由于外界空气中的水氧入侵到发光器件会使有机发光材料受水氧侵蚀,造成发光器件性能劣化,影响显示装置的显示效果和使用寿命,因此OLED显示装置对封装有非常高的要求。
如何提高封装层的封装效果,从而提高显示装置的良率和使用寿命是本领域亟待解决的技术问题。
发明内容
本公开的目的在于提供一种显示面板及其制作方法、显示装置,用于提高封装层的封装效果,从而提高显示装置的良率和使用寿命。
为了实现上述目的,本公开提供如下技术方案:
一方面,提供一种显示面板,包括多个子像素,每个子像素具有发光区。所述显示面板包括衬底、电路结构层、固定结构和封装层。电路结构层,设置在所述衬底上;固定结构,设置于所述电路结构层远离所述衬底一侧;所述固定结构在所述衬底上的正投影与所述多个子像素的发光区在所述衬底上的正投影相互错开;所述固定结构包括相对的第一端面和第二端面,所述第一端面相对于所述第二端面更靠近所述衬底;所述第一端面在设定方向上的尺寸小于所述第二端面在所述设定方向上的尺寸;所述设定方向为平行于所述衬底的至少一个方向;封装层,覆盖所述固定结构,且与所述固定结构的侧壁接触。
在一些实施例中,所述显示面板还包括发光功能层和阴极层。发光功能层,位于所述电路结构层与所述封装层之间;阴极层,位于所述发光功能层与所述封装层之间;其中,所述发光功能层和所述阴极层覆盖至少部分所述固定结构,所述发光功能层和所述阴极层中,覆盖所述固定结构的部分与覆盖所述固定结构的周围区域的部分相分离。
在一些实施例中,所述固定结构包括沿垂直于所述衬底且远离所述衬底的方向叠置的第一固定部和第二固定部;所述第一固定部靠近所述衬底的表面为所述第一端面,所述第二固定部远离所述衬底的表面为所述第二端面;或者,所述固定结构沿垂直于所述衬底的方向的截面为倒梯形。
在一些实施例中,所述显示面板还包括像素界定层,像素界定层位于所述电路结构层和所述封装层之间;所述固定结构位于所述像素界定层远离所述衬底的一侧。
在一些实施例中,所述显示面板还包括阳极层和阴极层,所述阳极层位于所述像素界定层与所述电路结构层之间,所述阳极层包括辅助导电图案;所述阴极层位于所述像素界定层远离所述电路结构层的一侧;其中,所述像素界定层包括第一开口,所述阴极层通过所述第一开口与所述辅助导电图案接触。
在一些实施例中,所述显示面板还包括阴极层和导电连接图案。所述阴极层位于所述像素界定层远离所述电路结构层的一侧;导电连接图案,位于所述阴极层与所述像素界定层之间,且所述导电连接图案在所述衬底上的正投影与所述多个子像素的发光区在所述衬底上的正投影相互错开;其中,所述像素界定层包括第一开口,所述导电连接图案的至少部分位于所述第一开口内;所述阴极层在所述第一开口处与所述导电连接图案接触。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





