[发明专利]高导热扇出型封装结构、制备方法、散热系统及屏蔽系统在审
申请号: | 202210086525.6 | 申请日: | 2022-01-25 |
公开(公告)号: | CN114582817A | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
发明(设计)人: | 郭旭光;徐达;常青松;祁广峰;要志宏;袁彪;常巍;王乔楠;张延青;冯涛;胡占奎;张晓荷 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
主分类号: | H01L23/373 | 分类号: | H01L23/373;H01L23/367;H01L23/31;H01L23/552;H01L21/50;H01L21/56 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 张一 |
地址: | 050051 *** | 国省代码: | 河北;13 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 导热 扇出型 封装 结构 制备 方法 散热 系统 屏蔽 | ||
1.一种高导热扇出型封装结构,其特征在于,包括:
塑封模块,包括塑封为一体的高导热载体(4)、芯片(5)及泡沫铜(2),其中,所述芯片(5)与所述高导热载体(4)层叠;所述泡沫铜(2)设置于所述芯片(5)周围;
布线层(7),其正面与所述塑封模块的正面相接,以使所述芯片(5)倒装于所述布线层(7);
金属导体层(3),设置于所述塑封模块的背面;以及
植球(6),设置于所述布线层(7)的背面,且与所述布线层(7)内的布线导体层(72)连接。
2.如权利要求1所述的高导热扇出型封装结构,其特征在于,所述高导热载体(4)通过导线或键合丝与所述泡沫铜(2)连通。
3.一种高导热扇出型封装结构的制备方法,基于如权利要求1所述的高导热扇出型封装结构,其特征在于,所述方法包括:
通过导电胶或金锡焊料将芯片(5)固定在高导热载体(4)上;
将所述芯片(5)面朝下倒装在载体晶圆(9)上;
在所述载体晶圆(9)上固定泡沫铜(2),并将所述高导热载体(4)与所述泡沫铜(2)导线相连;
将所述芯片(5)、所述高导热载体(4)及所述泡沫铜(2)塑封于所述载体晶圆(9)上;
将塑封后的所述芯片(5)从所述载体晶圆(9)上剥离;
研磨,背面减薄,抛光,露出芯片(5)背面的高导热载体(4);
在所述芯片(5)的正面形成布线层(7),并植球(6);
在所述芯片(5)背面的高导热载体(4)上制作金属导体层(3)。
4.如权利要求3所述的高导热扇出型封装结构的制备方法,其特征在于,所述高导热载体(4)为钼铜、金刚石、铜中的任一种。
5.如权利要求3所述的高导热扇出型封装结构的制备方法,其特征在于,所述泡沫铜(2)和所述芯片(5)采用双面胶带(8)表贴至载体晶圆(9)上。
6.如权利要求3所述的高导热扇出型封装结构的制备方法,其特征在于,所述布线层(7)中的布线导体层(72)材质为铜或金。
7.如权利要求3所述的高导热扇出型封装结构的制备方法,其特征在于,所述布线层(7)中的介质层(71)为PI材质或BCB材质。
8.如权利要求3所述的高导热扇出型封装结构的制备方法,其特征在于,所述泡沫铜(2)的孔隙中填充有塑封料(1)。
9.一种高导热扇出型封装结构的散热系统,基于如权利要求3-8任一项所述的制备方法,其特征在于,包括高导热载体(4)、泡沫铜(2)、布线层(7)内的布线导体层(72)及植球(6),塑封芯片(5)的热量经所述高导热载体(4)、所述泡沫铜(2)、所述布线层(7)内的布线导体层(72)及所述植球(6)散出。
10.一种高导热扇出型封装结构的屏蔽系统,基于如权利要求3-8任一项所述的制备方法,其特征在于,包括泡沫铜(2)、布线层(7)内的布线导体层(72)及植球(6),所述植球(6)与接地结构相连,以使所述泡沫铜(2)构成塑封芯片(5)的屏蔽。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十三研究所,未经中国电子科技集团公司第十三研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210086525.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。