[发明专利]一种多芯片立体集成结构及制作方法

权利要求书

1.一种多芯片立体集成结构，其特征在于，包括：多芯片立体集成结构组件(100)；

所述多芯片立体集成结构组件(100)包括芯片、无源器件(46)、塑封料(70)和若干个基板；

所述若干个基板逐层堆叠，包括顶层基板、中间基板和底层基板；

所述顶层基板和中间基板、中间基板和底层基板之间均通过层间凸点焊球进行相连；所述顶层基板、中间基板和底层基板上均键合有芯片；所述无源器件(46)固定在顶层基板上；所述塑封料(70)封装除底层基板下表面外的其余面。

2.根据权利要求1所述的多芯片立体集成结构，其特征在于，所述顶层基板、中间基板和底层基板分别为第一基板(10)、第二基板(20)和第三基板(30)；

所述第一基板(10)包括位于第一基板(10)下表面的对外焊盘(18)和位于第一基板(10)上表面的第一层间焊盘(19)；所述第二基板(20)包括位于第二基板(20)下表面的第一焊盘凸台(28)和位于第二基板(20)上表面的第二层间焊盘(29)；所述第三基板(30)包括位于第三基板(30)下表面的第二焊盘凸台(38)和位于第三基板(30)上表面无源器件表贴焊盘(39)；

所述芯片包括第一芯片(41)、第二芯片(42)、第三芯片(43)、第四芯片(44)和第五芯片(45)；所述层间凸点焊球包括第一焊球(56)和第二焊球(57)；

所述第一芯片(41)键合在第三基板(30)的上表面；所述第二芯片(42)和第三芯片(43)键合在第二基板(20)的上表面；所述第四芯片(44)和第五芯片(45)键合在第一基板(10)的上表面；

所述无源器件(46)通过在无源器件表贴焊盘(39)表贴在第三基板(30)的上表面，且位于第一芯片(41)的四周；所述第一基板(10)和第二基板(20)之间通过第一焊球(56)进行连接；所述第二基板(20)和第三基板(30)之间通过第二焊球(57)进行连接；所述第一焊球(56)焊接于第一层间焊盘(19)和第一焊盘凸台(28)之间，所述第二焊球(57)焊接于第二层间焊盘(29)和第二焊盘凸台(38)之间；

还包括第三焊球(50)；所述第三焊球(50)位于对外焊盘(18)上；所述塑封料(70)封装除第一基板(10)下表面外的其余面。

3.根据权利要求2所述的多芯片立体集成结构，其特征在于，所述第一基板(10)、第二基板(20)和第三基板(30)均为TSV硅转接基板。

4.根据权利要求3所述的多芯片立体集成结构，其特征在于，所述第一芯片(41)、第二芯片(42)、第三芯片(43)、第四芯片(44)和第五芯片(45)通过倒装键合分别键合在第三基板(30)、第二基板(20)和第一基板(10)上；

所述第一芯片(41)通过第一芯片(41)上的第一倒装凸点(51)键合在第三基板(30)上表面的第一芯片键合焊盘(37)上；

所述第二芯片(42)和第三芯片(43)分别通过第二芯片(42)上的第二倒装凸点(52)和第三芯片(43)上的第三倒装凸点(53)键合在第二基板(20)上表面的第二芯片键合焊盘(27)上；

所述第四芯片(44)和第五芯片(45)分别通过第四芯片(44)上的第四倒装凸点(54)和第五芯片(45)上的第五倒装凸点(55)键合在第一基板(10)上表面的第三芯片键合焊盘(17)上。