[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法

说明书

本申请实施例提供的金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法，通过在金属氧化物半导体场效应晶体管器件的背面注入P型杂质，从而可以降低大电流下金属氧化物半导体场效应晶体管器件的导通电阻，因此能够减少器件工作时产生的热量。

技术领域

本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法。

背景技术

平面金氧半导体场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor，MOSFET)器件以其具有高反向击穿电压、高可靠性、低成本被广泛使用在各个领域。随着应用领域的增加，对MOSFET不同电压等级多样化的需求也更加丰富，如，1000V、1200V、1500V甚至1700V产品。随着电压的升高，MOSFET器件导通电阻也随之增大，导致工作温度升高。因此，如何在保证MOSFET器件具有较高电压承受能力的情况下，降低MOSFET器件的电阻成为亟待解决的问题。

发明内容

为了克服现有技术中的上述不足，本申请的目的在于提供一种金属氧化物半导体场效应晶体管制造方法，所述方法包括：

提供一基板，所述基板包括相背的第一侧和第二侧；

从所述第一侧生长第一氧化层，并通过光刻的方式形成横向变掺杂所需的图形；

基于所述第一氧化层进行终端掺杂，并进行推结和氧化，形成第二氧化层；

从所述第一侧光刻形成源区所需图形，并进行磷注入；

从所述第一侧通过干氧扩散形成栅极氧化层；

在氮气环境下进行结型场效应晶体管区域推结；

进行多晶淀积，并通过三氯氧磷进行激活；

从所述第一侧通过光刻和/或干法刻蚀形成源区及横向变掺杂终端的多晶场边图形；

从所述第一侧针对源区进行硼注入，并进行P阱光刻和注入；

从所述第一侧进行N型杂质注入；

从所述第一侧淀积第三氧化层和硼磷硅玻璃；

从所述第一侧通过光刻形成贯穿所述第三氧化层和硼磷硅玻璃的接触孔；

从所述第一侧淀积形成铝金属层，并对所述铝金属层进行光刻形成预设图案；

在所述基板的第二侧通过光刻形成设定图案；

从所述基板的第二侧注入P型杂质，并在氮气和氢气氛围下的进行激活；

在所述基板第二侧蒸发金属。

在一种可能的实现方式中，所述从所述第一侧生长第一氧化层，并通过光刻的方式形成横向变掺杂所需的图案的步骤，包括：

在所述基板的第一册的表面通过热氧生长形成0.3um到0.5um第一氧化层。

在一种可能的实现方式中，所述基于所述第一氧化层进行终端掺杂并进行推结和氧化，形成第二氧化层的步骤，包括：

按照剂量为5E12到8E12，能量为60keV到90keV的离子注入条件，基于所述第一氧化层102进行硼离子注入，并在1000℃到1100℃的温度条件下进行推结和氧化，形成1.5um到2.0um的第二氧化层。

在一种可能的实现方式中，所述从所述第一侧光刻形成源区所需图形，并进行磷注入的步骤，包括：

从所述第一侧通过光刻工艺形成源区所需图形，在剂量为2.2E12，能量为100keV的离子注入条件下进行磷注入；

所述从所述第一侧通过干氧扩散形成栅极氧化层的步骤，包括：